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-150lm/w，45×45mil芯片达到130-140lm/w，相对蓝宝石大功率芯片产品具有一定优势，再次确立了晶能光电在硅衬底led芯片研发制造方面的全球领先地位。2012年12
http://blog.alighting.cn/wangmin/archive/2013/4/24/315438.html2013/4/24 16:07:14
类： 一、led晶片的材质不同导致led红外灯光衰衰减不同。 目前常用的蓝光晶片衬底材质为碳化硅和蓝宝石，碳化硅一般结构设计为单电极，其导热效果较好，蓝宝石一般设计为双电
http://blog.alighting.cn/110231/archive/2012/8/29/287582.html2012/8/29 9:07:45
“武器”众所周知，芯片是led的核心部件。但是中国芯片，给人的印象一直都是重产量不重质量。目前，led芯片技术的发展关键在于衬底材料和晶元生长技术。现在市场上的主流衬底材料是蓝宝
http://blog.alighting.cn/2803984315/archive/2014/8/19/356360.html2014/8/19 15:53:34
纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有gaas、aln、zno等材料。 mocvd是利用气相反应物（前驱物）及ⅲ族的有
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00
延片生长技术采用这种技术可以进一步减少位元错密度,改善gan外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan,再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层,然后利
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
型决定着下游产业链的应用范畴能否得到扩展。庄德津博士领衔的团队研发的氮化镓衬底，与目前普遍使用的蓝宝石衬底、碳化硅衬底相比更具优势。以它为原料加工的led芯片在居民照明领域具有极
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/8/15/323613.html2013/8/15 16:23:13
用导热更好的衬底材料。早期的led只是采用si硅作为衬底。后来就改为蓝宝石作为衬底。但是蓝宝石衬底的导热性能不是太好，（在100°c时约为25w/（m-k）），为了改善衬底的散
http://blog.alighting.cn/trumpled/archive/2012/9/9/289456.html2012/9/9 11:47:13
利，比较重要。 衬底领域的专利25%集中在蓝宝石，其次为砷化镓(17%)、硅(16%)、氮化镓(10%)、碳化硅(7%)等，这和目前全球led市场gan生长主要采用蓝宝石衬底的产业状
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/11/1/295801.html2012/11/1 23:31:07
最新实验报告，用100w的集成模块对比，用纯铜片的模块在芯片温度高到75摄氏度时，用金刚石-铜复合片的模块芯片温度只有65摄氏度。然而铜的热膨胀系数(19左右)比蓝宝石衬底的热膨
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2012/2/22/264686.html2012/2/22 15:55:11
r领域,eg:42milmb。 2.gb芯片定义和特点 定义：gluebonding(粘着结合)芯片;该芯片属于uec的专利产品。 特点： (1)透明的蓝宝石衬底取代吸光的gaas
http://blog.alighting.cn/131218/archive/2012/7/23/283142.html2012/7/23 22:26:43
