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p chip的电流密度。同时这种结构还可以将pn结的热量直接通过金属凸点导给热导系数高的硅衬底(为145w/mk)，散热效果更优;而且在pn 结与p电极之间增加了一个反光层，又消
https://www.alighting.cn/resource/20110718/127423.htm2011/7/18 15:14:26
w5110 智能防爆头灯 采用大功率超高亮度固态冷光源，发热量低，工作电流小，防爆性能优良，工作寿命长，可达到长期免维护的效果。iw5110 智能防爆头灯 高能无记忆锂离子电池，绿色环
http://blog.alighting.cn/rpmayfm/archive/2011/7/18/230014.html2011/7/18 15:07:00
http://blog.alighting.cn/rpmayfm/archive/2011/7/18/230015.html2011/7/18 15:07:00
识。 二、fl4840信号指示灯结构特性： fl4840信号指示灯采用超高亮度led信号光源，能向同一方向发出警告或信号，最大可视距离为1500米；根据现场需要可选择红色信号或绿
http://blog.alighting.cn/rpmayfm/archive/2011/7/18/230002.html2011/7/18 14:22:00
配光。不同的应用场合适用不同的配光形式,例如：道路照明宜选用蝙蝠翼型配光、射灯宜选用聚光型配光。由于隧道照明的特殊性,隧道照明中灯具的排布密度非常高,所以在隧道照明中对灯具的二次配
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229970.html2011/7/17 23:41:00
小功率led 获得广泛的应用。从上世纪九十年代开始,由于led 外延芯片技术上的突破,使超高亮四元系algainp 和gan 基的led 既能发射可见光波长的光可组合各种颜色和白
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00
能一次生产1片2英寸外延片,但其外延片质量很高。目前高档产品主要由这些设备生产,不过这些设备一般不出售。1)ingaalp四元系ingaalp化合物半导体是制造红色和黄色超高亮度发
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
本；另外一个方向是高度自动化的可重复性的单片设备。2.氢化物汽相外延片(hvpe)技术采用这种技术可以快速生长出低位元错密度的厚膜,可以用做采用其他方法进行同质外延片生长的衬底。并
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
产300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和 芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00
刷的方法在金属电极间制作氧化钯薄膜电子发射阴极。上图右下角就是单个像素的示意图。生成了氧化钯膜的金属电极间距只有4-6个纳米,当金属电极间加上10几伏的电压后,极间将形成超高电场,氧
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229937.html2011/7/17 23:25:00
