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定；试验温度在40℃、相对湿度为95%r.h.的条件下进行,试验 时间各为96±2小时。 6.2.3.1恒定湿热试验 按gb/t2423.3的规定进行。 6.2.3.1.
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120496.html2010/12/13 22:33:00
试方法:把待测灯具放进恒温箱,连接电路,把调压器的输出电压调至180v(调压器仅给待测灯具供电),打开恒温箱电源,把温度设定在60℃,待箱内的温度升至60℃时打开灯具的电源,观察灯
http://blog.alighting.cn/mayertank/archive/2009/9/2/5780.html2009/9/2 7:59:00
今，最先进的硅器件，例如igbt4/cal4二极管，最高可以在175℃的芯片温度下运行。今后，碳化硅的使用将在连接层的充足热循环能力方面带来更大的挑战，因为碳化硅组件可以运行在高达30
http://blog.alighting.cn/leddeng336/archive/2010/1/21/25759.html2010/1/21 15:09:00
高了led的esd耐受能力。 4月16日，eudyna devices公司在美国申请了一项应用专利，他们把量子阱有源区（mqw active region）加热到975℃，以改善
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/22/45324.html2010/5/22 22:19:00
d寿命长，通常采取加速环境试验的方法进行可靠性测试与评估。测试内容主要包括高温储存(100℃，1000h)、低温储存(-55℃，1000h)、高温高湿(85℃/85%，1000h)
http://blog.alighting.cn/Autumn/archive/2010/11/18/115036.html2010/11/18 16:56:00
化是合理的。 对于封装材料的热退化，d.l.barton等人的研究试验表明[1－4]，塑料在150℃左右会由于单纯的热效应使led的光输出减弱，尽管在寿命试验中没有发现塑料封装的外
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
散功率之比。热阻符号：rθ或rth；热阻单位：k/w或℃/w一般倒装型大功率led表面贴装到金属线路板，也可以再安装外部热沉，增加散热效果。大功率led芯片电极上焊接的数个bum
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
k，即使印刷电路板温度上升到50℃，接合温度顶多只有70℃左右；相比之下以往热阻抗一旦降低的话，led芯片的接合温度就会受到印刷电路板温度的影响。因此，必需设法降低led芯片的温
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126777.html2011/1/9 21:16:00
起封装料退化是合理的。 对于封装材料的热退化，d.l.barton等人的研究试验表明[1－4]，塑料在150℃左右会由于单纯的热效应使led的光输出减弱，尽管在寿命试验中没有发现塑
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
、 过波峰焊温度及时间 须严格控制好波锋焊的温度及过炉时间，建议为：预热温度100℃±5℃，最高不超过120℃，且预热温度上升要求平稳，焊接温度为245℃±5℃，焊接时间建议不超
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134189.html2011/2/20 23:28:00
