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led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17

led知识概述

来的时候,它们之间就形成一个p-n结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子就会被推向p区,在p区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是led发光的原理。而光的波

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262708.html2012/1/29 0:39:07

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34

led知识概述

来的时候,它们之间就形成一个p-n结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子就会被推向p区,在p区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是led发光的原理。而光的波

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271810.html2012/4/10 23:37:24

led芯片常识

镜,光线要射得远的。   2、抗静电能力   抗静电能力强的led,寿命长,因而价格高。通常抗静电大于700v的led才能用于led灯饰。  3、波长波长一致的led,颜色一致,如要

  http://blog.alighting.cn/www.nengzhaoled.com/archive/2012/4/28/273236.html2012/4/28 14:34:07

led知识概述

来的时候,它们之间就形成一个p-n结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子就会被推向p区,在p区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是led发光的原理。而光的波

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274710.html2012/5/16 21:27:34

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274725.html2012/5/16 21:28:19

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274735.html2012/5/16 21:29:01

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