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厦门大学物理与机电工程学院康俊勇教授研究组下的课题小组通过在高铝组分氮化物深紫外线发光二极管(led)表面覆盖一层超薄铝膜，从而破解了制约这一发光器件得以更广泛应用的“光抽取效率
https://www.alighting.cn/news/2013322/n472349883.htm2013/3/22 10:31:10
高功率led封装厂台湾半导体照明公司(tslc)2013年12月30日举行新厂落成仪式，tslc传承前身高功率led封装厂采钰的晶圆级led硅基及氮化铝封装技术，让led封装元
https://www.alighting.cn/news/20140109/111360.htm2014/1/9 9:44:12
日前，philips lumileds (加州圣何塞) 研究人员开发出一种最接近黄光led能隙的单色光氮化物二极管，由regina mueller-mach和她的同事研制的这款
https://www.alighting.cn/news/20090730/119372.htm2009/7/30 0:00:00
还表示，除四元led外，晶电同样计划将氮化物led月产能从当前的8亿颗增加到11-12亿颗，扩产的幅度达到45
https://www.alighting.cn/news/20080104/119565.htm2008/1/4 0:00:00
甲醇酯(pct)到现今的氮化铝陶瓷结构、高功率集成板上芯片封装(chiponboard，cob)、热固性环氧树酯(emc)结构led器件，各类覆晶等不同形态的封
https://www.alighting.cn/news/20160715/141938.htm2016/7/15 14:03:22
何锦华表示，作为公司目前的主导产品，高显色通用照明所需的铝酸盐黄绿色荧光粉和氮化物红粉在发光效率方面一直进行着技术升级，光效方面平均提升幅度达到1.5%左右，特别是暖白系列整体解
https://www.alighting.cn/news/20170426/150381.htm2017/4/26 15:37:22
石,缓冲层为aln,n型层采用厚度为0.8μm的si掺杂al0.3ga0.7n形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的GaN,p型层为0.15μm的mg掺杂GaN。采用cl2、a
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
对于一般照明而言，人们更需要白色的光源。 1998 年发白光的 led 开发成功。这种 led 是将 GaN 芯片和钇铝石榴石（ yag ）封装在一起做成。 GaN 芯片发蓝
http://blog.alighting.cn/ggzhaoye/archive/2010/7/8/54597.html2010/7/8 14:34:00
近些年来，随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步，led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高，led已经开始在照明领域里初步应用，出现了le
https://www.alighting.cn/resource/2008429/V15378.htm2008/4/29 13:25:44
led外延作为led产业链的核心环节，从2009年开始，在中国下游应用市场高速发展的带动下，中国GaN mocvd数量开始爆发性增长，使得中国led外延产业得到快速发展。2010
https://www.alighting.cn/news/20111121/n384835887.htm2011/11/21 11:31:27
