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功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发通量的最大障碍仍是芯片的取效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊结构来提高芯片的取效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114854.html2010/11/18 0:21:00

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发通量的最大障碍仍是芯片的取效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊结构来提高芯片的取效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258617.html2011/12/19 11:09:24

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发通量的最大障碍仍是芯片的取效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊结构来提高芯片的取效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261455.html2012/1/8 21:36:18

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发通量的最大障碍仍是芯片的取效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊结构来提高芯片的取效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发通量的最大障碍仍是芯片的取效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊结构来提高芯片的取效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271728.html2012/4/10 23:29:39

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发通量的最大障碍仍是芯片的取效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊结构来提高芯片的取效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274795.html2012/5/16 21:32:09

为汽车照明应用选择hb led驱动器的应用

a以上。白、蓝和绿hb led的正向电压在2.8至4.5v范围内,红和琥珀hb led的正向电压在2.3至3.5v范围。为了保持固定的色和亮度,hb led驱动必须满足特

  http://blog.alighting.cn/gaogong123/archive/2009/9/10/6401.html2009/9/10 15:31:00

机理

计工程师韩俭荣关键词:能量分布不可见可见视觉灵敏低视觉灵敏可见能量分布特性人眼视觉函数曲线有效视觉效有效视觉照度一、概述400w金卤灯在传统源中,已经属于技术性

  http://blog.alighting.cn/frankqingdao/archive/2008/6/8/8909.html2008/6/8 4:07:00

青岛法兰克u型高频率节能灯,替代金卤灯案例二

室高频源事业部合同能源管理机制推进事业部高频源设计工程师韩俭荣关键词:地面照度实测值功率替代比例节电率能量分布不可见可见视觉灵敏低视觉灵敏可见能量分布特性人眼视觉函

  http://blog.alighting.cn/frankqingdao/archive/2008/6/8/8915.html2008/6/8 4:17:00

绿色照明培训教材(二)

于人眼的可见范围上,而且分布在效率最大值附近。此外,高压钠灯寿命长,能够达到20000小时以上。   但是,普通的高压钠灯显色指数ra只有12-30左右,显色性很差,不

  http://blog.alighting.cn/lrjflash/archive/2011/2/11/132099.html2011/2/11 16:22:00

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