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led照明及led显示屏发展历程解读

、黄、绿等多种单色led,并用于各种信号指示、标识、数码显示,逐步发展到小型led显示屏等。1991年业界采用mocvd外延生长四元系材料,开发出高亮度发光二极管;1994年在ga

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222094.html2011/6/19 23:18:00

未来led照明产业将呈五大发展趋势

势。晶元光电是我国台湾地区专业生产超高亮度led磊晶片及晶粒的上市公司,自有金属有机气相沉积(mocvd)技术,是目前全球led外延级芯片的主要制造商,拥有完整的led芯片产品知

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222114.html2011/6/19 23:29:00

led产业呈现五大发展趋势

势。晶元光电是我国台湾地区专业生产超高亮度led磊晶片及晶粒的上市公司,自有金属有机气相沉积(mocvd)技术,是目前全球led外延级芯片的主要制造商,拥有完整的led芯片产品知

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222250.html2011/6/20 22:23:00

led光源钱景未来, 与我们的生活不离不弃

游技术的集中度并不高,从半导体材料生长、芯片、外延、封装等均有较多企业涉足。由近年来led光源产品非常迅速的发光性能提升和价格下降的程度也可以看出这是一种走快速普及化道路的新兴产

  http://blog.alighting.cn/brucetuan/archive/2011/7/14/229684.html2011/7/14 15:49:00

高压led结构及技术解析

来,因此其沟槽下方需要达到绝缘的基板,其深度依不同的外延结构而异,一般约在4~8um,沟槽宽度方面则无一定的限制,但是沟槽太宽代表着有效发光区域的减少,将影响hv led的发光效率表

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229849.html2011/7/17 22:37:00

led的封装技术

亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生产。据预

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00

发光二极管封装结构及技术

产300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和 芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00

功率型led的封装技术

小功率led 获得广泛的应用。从上世纪九十年代开始,由于led 外延芯片技术上的突破,使超高亮四元系algainp 和gan 基的led 既能发射可见光波长的光可组合各种颜色和白

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00

led路灯大规模商用需解决技术成本标准三大难题

高还需要从大功率白光led的外延技术、芯片工艺等基础层次进一步提升。在二次光学设计方面,led的辐射形式有朗伯型、侧射型、蝙蝠翼型和聚光型几种。在道路照明领域,根据设计经验朗伯型和蝙

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230109.html2011/7/18 23:50:00

发光二极管封装结构及技术

产300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230169.html2011/7/19 0:23:00

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