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led技术在机械视觉中的应用

明;- 从后部提供均衡照明的背光灯用来暴露边缘缺陷等特征;- 用来提供一致亮度的灯束,线扫描的相机应用中就有这样的要求;- 发光光束较淡的暗地环形照明,要求在搜寻擦痕等缺陷时非常有

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229958.html2011/7/17 23:35:00

led技术在机械视觉中的应用

明;- 从后部提供均衡照明的背光灯用来暴露边缘缺陷等特征;- 用来提供一致亮度的灯束,线扫描的相机应用中就有这样的要求;- 发光光束较淡的暗地环形照明,要求在搜寻擦痕等缺陷时非常有

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led用yag:ce3+荧光粉的研制

荧光粉早在20世纪60年代就已被研制出来,并且被应用于阴极射线飞点扫描管中(阴极射线荧光粉的牌号为P46),它主要是利用该荧光粉的超短余辉(0.1μSec)特性和亮度特性。后

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229954.html2011/7/17 23:33:00

led行业近年的重要并购事件

次并购至少为路明集团的led研发节省了10年的时间。?;2005/2,元砷与联铨宣告以1股联铨换1.36股元砷合并,前者为存续公司。?;2005/8,晶电为存续公司,以1比2.24

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229951.html2011/7/17 23:30:00

inn材料的电学特性

与gan有些相似,但在inn中这个问题更加严重。inn的费米稳定能级eb在导带里面,这就意味着在inn中即使电子浓度升高,费米能级增大,也很难形成P型的本征补偿缺陷,这就使得电子饱

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led外延生长工艺概述

后,将方向的晶种渐渐注入液中,接着将晶种往上拉升,并使直径缩小到一定(约6mm),维持此直径并拉长10-20cm,以消除晶种内的排差(diSlocation),此种零排

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00

外延生长技术概述

g或掺zn生长n型与P型薄膜材料。对于ingaalP薄膜材料生长,所选用的iii族元素流量通常为(1-5)×10-5克分子,v族元素的流量为(1-2)×10-3克分子。为获得合适的

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00

led贴片胶如何固化

度,经10-15S就使暴露在元件体外的贴片胶迅速固化,同时炉内继续保持150-140℃温度约1min,就可使元件下?i的胶固化透。针头转移法的使用不到全部应用的10%,它是使用针

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rgb与白光led存亡之战

题,就在于反应时 间,目前rgb灯大部分的反应时间约为4-8mS,他表示,如果有一天到大卖场去看,所有的rgb灯的反应时间可以到1-2mS,那么rgb灯的时代也即 将到来。不过,他

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发光二极管封装结构及技术

及 技术要求,无法简单地将分立器件的封装用于led。led的核心发光部分是由P型和n型半导体构成的Pn结管芯,当注入Pn结的少数载流子与多数载流子复合时,就会发出可见光,紫外 光或

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