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当然gan与si 衬底之间存在热失配、晶格失配等问题，很容易出现龟裂现象，要在硅衬底上生长高质量的氮化镓基led确实是一个严峻的挑战。在这方面处于世界前列的晶能光电认为，硅衬底le
https://www.alighting.cn/news/20111117/90028.htm2011/11/17 10:11:23
在led衬底材料的技术和外延片生产设备方面，国产led照明产业存在明显瓶颈。我国企业led领域的自主创新和专利主要集中在封装阶段，而在最关键的白光、大功率led灯的热平衡问题、持
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/11/15/253279.html2011/11/15 17:22:31
日前，苏州新纳晶光电有限公司宣布首批“氮化镓led外延片”等产品批量试制成功。“氮化镓led外延片”是以氮化镓为原料采用纳米技术制成，厚度仅几微米，每个“玻璃片”可切割成2万个
https://www.alighting.cn/pingce/20111115/122867.htm2011/11/15 13:57:59
d项目助力高增长 公司发布公告：投资2.7亿元于纳晶光电公司、实现控股90%，该子公司将投资6.9亿元于蓝、绿光led外延片、芯片及封装的研发与制造。预计实现收入7.8亿元、净
http://blog.alighting.cn/114793/archive/2011/11/15/252947.html2011/11/15 10:41:13
新快报讯 据《21世纪经济报道》报道，“掌握外延片和芯片等核心技术及制造的企业，占据了整个链条的70%利润。”8月26日，中国照明电器协会半导体照明专业委员会主任唐国庆向记者勾
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2011/11/14/252845.html2011/11/14 16:56:11
心技术芯片还是产业链的顶端，都被众多外资企业所掌控。 中国照明电器协会半导体照明专业委员会主任唐国庆接受媒体采访时说：“掌握外延片和芯片等核心技术及制造的企业，占据了整个链条70
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2011/11/14/252842.html2011/11/14 16:56:02
d照明散热技术大功率led照明光源需要解决的散热问题涉及以下几个环节：1、 晶片pn结到外延层； 2、 外延层到封装基板； 3、 封装基板到外部冷却装置再到空气。半导体元器件通常对
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2011/11/14/252811.html2011/11/14 15:41:38
led路灯目前面临的主要技术问题有：输出功率及光通量、二次光学设计、散热设计和电源系统设计。1、输出功率及光通量的提高还需要从大功率白光led的外延技术、芯片工艺等基础层次进一
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2011/11/14/252808.html2011/11/14 15:41:29
晶科电子led产业基地落成典礼及晶科电子与香港科技大学联合实验室揭牌仪式于2011年11月11日在广州南沙隆重举行！目标是在广州建设完成年产值25亿大功率led外延、芯片及模组制
https://www.alighting.cn/news/20111114/114242.htm2011/11/14 11:54:20
led行业是一个高技术壁垒的行业，这里指的是上游芯片和外延片，该环节目前占到了整个产业链产值的70% 。做led芯片、外延片要比单纯做封装、做下游应用产品难得多，这当中涉及技术
https://www.alighting.cn/resource/20111114/126899.htm2011/11/14 11:09:18
