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摘要：结合功率型GaN基蓝光led芯片的电极分布，在硅载体上电镀制作了金凸点，然后通过热超声倒装焊接技术将led芯片焊接到载体硅片上。结果表明，在合适的热超声参数范围内，焊接
https://www.alighting.cn/resource/2012/6/7/111412_00.htm2012/6/7 11:14:12
本文主要阐述了algainp led和GaN led芯片技术的研究发展情况及其led外部量子效率低的现状，介绍了改善电注入效率和提高芯片出光效率的几种方法，如芯片塑形、表面粗化
https://www.alighting.cn/resource/2012/11/22/135022_85.htm2012/11/22 13:50:22
术(metalbonding)，将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率led提高取光效率及散热能
https://www.alighting.cn/resource/20140716/124444.htm2014/7/16 9:52:01
结合功率型GaN 基蓝光led 芯片的电极分布, 在硅载体上电镀制作了金凸点, 然后通过热超声倒装焊接技术将led 芯片焊接到载体硅片上。结果表明, 在合适的热超声参数范围
https://www.alighting.cn/2012/5/17 14:01:47
本研究基于蓝宝石图形衬底(pss)制备GaN基40mil功率型led芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了led器件的光电性能。制备的led外延片波长集中在6nm范
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127407.htm2011/7/21 17:45:16
近些年来，随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步，led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高，led已经开始在照明领域里初步应用，出现了le
https://www.alighting.cn/news/2008429/V15378.htm2008/4/29 13:25:44
ims research 6月发布的上一季度报告中，由于今年上半年供应过剩增加，lcd和led面板增长缓慢以及照明市场成本没有竞争力使得2011年上半年asp降低，GaN le
https://www.alighting.cn/news/20110816/90334.htm2011/8/16 10:35:28
由于半导体照明产业潜藏着巨大的经济和社会效益，许多国家和地区纷纷制定了发展计划，例如美国“国家半导体照明研究计划”、日本“21世纪光计划”、韩国“GaN半导体开发计划”、欧盟“彩
https://www.alighting.cn/news/20070803/101061.htm2007/8/3 0:00:00
件。这是一份有关俄罗斯照明计划的文件，为下一代基于GaN半导体芯片的新型普通照明创建一个高技术的工业生产体系。终端产品是led芯片、led灯和照明系统，其亮度堪比当今最好的灯具。le
https://www.alighting.cn/news/20081224/101146.htm2008/12/24 0:00:00
德国欧司朗光电半导体(osram opto semiconductors gmbh)开发出了新型led结构「ux:3」。该结构不仅能够大幅提高蓝色led等GaN类led的外部量
https://www.alighting.cn/news/20101014/105146.htm2010/10/14 0:00:00
