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对在sic衬底上采用mocvd方法制备的gan和gan：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20141223/123875.htm2014/12/23 11:11:59
同传统led相比，gan同质衬底技术能实现更好的显色性能和白光准确度，并具有每晶元流明优势。
https://www.alighting.cn/resource/20141204/123974.htm2014/12/4 11:26:50
semileds为唯一的金属衬底led制造商，为通用照明、背光源和汽车市场提供蓝、绿及近紫外（nuv）led。
https://www.alighting.cn/news/200727/V2147.htm2007/2/7 15:30:31
1日上午，预计总投资高达7000万美元的晶能光电（江西）有限公司“硅衬底发光二极管材料及器件”产业化项目
https://www.alighting.cn/news/200793/V8304.htm2007/9/3 9:53:32
位于美国纽约沃特佛利特(watervliet)的aln衬底开发商crystal is最近完成第一阶段融资，获得近500万美元的风险投资。
https://www.alighting.cn/news/20041206/103372.htm2004/12/6 0:00:00
市工信委有关负责人表示，贵阳市正在以蓝宝石晶锭为出发点，延伸到蓝宝石晶棒生长和衬底加工、外延片制作、芯片制造等整个上游产业链，与中、下游企业一起打造贵州led光电产业集群。据业内人
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/4/1/313075.html2013/4/1 11:36:37
本文通过对蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备正装高压发光二极管(hv led) ，其产业化光效已超过 110lm/w;10μa
https://www.alighting.cn/resource/2013/10/29/104737_35.htm2013/10/29 10:47:37
《高压发光二极管(hv led)芯片开发及产业化》通过对普通蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备出正装高压发光二极管(hv le
https://www.alighting.cn/resource/2011/6/20/162618_06.htm2011/6/20 16:26:18
研究了gan/algan异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。gan/algan外延材料采用金属有机化学气相沉积(mocvd)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
通过对蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备正装高压发光二极管(hv led) ，其产业化光效已超过 110lm/w;10μa 下点
https://www.alighting.cn/resource/20110604/127514.htm2011/6/4 22:12:37
