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国星光电拟投10亿元进行新一代led封装器件及芯片的扩产

国星光电1月9日晚间公告，公司计划投资10亿元进行新一代led封装器件及芯片的扩产。项目计划分两期进行，第一期拟计划投资5亿元，投资完成进行中期投资评价合格后，结合市场实际科学实

https://www.alighting.cn/news/20190110/159839.htm2019/1/10 9:31:51

利用有限元法模拟led芯片结点温度

合来估算led光源模块的芯片结点温度。结果证明该方法具有较好的预测性,可以用来研究led光源模块的温度分布,从而为研究led封装材料匹配性、系统可靠性提供一定的参

https://www.alighting.cn/resource/2009318/V787.htm2009/3/18 11:02:27

多芯片封装大功率led照明应用技术

d 在照明市场的前景更备受全球瞩目。自04年起光宇公司投入大量技术力量参与led技术研究，多年来形成一套具有独立知识产权的大功率led照明技术---多芯片封装大功率led照明技

https://www.alighting.cn/resource/20140114/124911.htm2014/1/14 12:00:57

led芯片的技术发展状况

m），最大功率达到400 mw（驱动电流1A，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

led芯片的技术发展状况

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http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

led芯片的技术发展状况

m），最大功率达到400 mw（驱动电流1A，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led芯片的技术发展状况

m），最大功率达到400 mw（驱动电流1A，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

m），最大功率达到400 mw（驱动电流1A，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led芯片的技术发展状况

m），最大功率达到400 mw（驱动电流1A，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

led芯片的技术发展状况

m），最大功率达到400 mw（驱动电流1A，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

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