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国星光电拟投10亿元进行新一代led封装器件及芯片的扩产

国星光电1月9日晚间公告，公司计划投资10亿元进行新一代led封装器件及芯片的扩产。项目计划分两期进行，第一期拟计划投资5亿元，投资完成进行中期投资评价合格后，结合市场实际科学实

https://www.alighting.cn/news/20190110/159839.htm2019/1/10 9:31:51

A mAximum-reAching ugg

this Addendum turn over in my let on my “glorificAtion” published. for A mAximum-reAchin

http://blog.alighting.cn/mdfieif/archive/2009/12/24/22108.html2009/12/24 14:10:00

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http://blog.alighting.cn/mdfieif/archive/2009/12/24/22109.html2009/12/24 14:10:00

A new study

A new study sAys the leAding cAuse of disAbility in older people in low And middle incom

http://blog.alighting.cn/huahua0831/archive/2010/1/6/24754.html2010/1/6 13:56:00

A rAre fossil record

A rAre fossil recordfrom boston to los Angeles, from new york city to chicAgo to dAllA

http://blog.alighting.cn/lvc126/archive/2010/4/16/40413.html2010/4/16 14:11:00

led芯片的技术发展状况

m），最大功率达到400 mw（驱动电流1A，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

led芯片的技术发展状况

m），最大功率达到400 mw（驱动电流1A，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

led芯片的技术发展状况

m），最大功率达到400 mw（驱动电流1A，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led芯片的技术发展状况

m），最大功率达到400 mw（驱动电流1A，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

m），最大功率达到400 mw（驱动电流1A，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

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