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牛津仪器针对6英寸衬底设备首次推出hvpe设备

展望2009年,牛津仪器针对6英寸衬底设备首次推出hvpe设备。oipt的等离子设备能用来刻蚀蓝宝石衬底,并在GaN沉积之前帮助衬底产生图案化特征。一旦沉积完成,设备也能对蓝宝

  https://www.alighting.cn/news/20081229/120300.htm2008/12/29 0:00:00

俄罗斯出台照明计划建led芯片生产体系

件。这是一份有关俄罗斯照明计划的文件,为下一代基于GaN半导体芯片的新型普通照明创建一个高技术的工业生产体系。终端产品是led芯片、led灯和照明系统,其亮度堪比当今最好的灯具。le

  https://www.alighting.cn/news/20081224/101146.htm2008/12/24 0:00:00

法国最新白光led产品wled亮相

n damilano及其研究团队利用氮化銦鎵(gainn)/氮化鎵(GaN)制量子阱来产生蓝光及黄光,进而制作出wled。这项成果使wled的商业化有向前推进一步,未来有希望取代目前使

  https://www.alighting.cn/news/20081223/105943.htm2008/12/23 0:00:00

最新研制得新一代白光led产品wled登场

n damilano及其研究团队利用氮化铟镓(gainn)/氮化镓(GaN)制量子阱来产生蓝光及黄光,进而制作出wled。这项成果使wled的商业化有向前推进一步,未来有希望取代目前使用的白炽灯

  https://www.alighting.cn/news/20081222/120143.htm2008/12/22 0:00:00

俄罗斯出台照明计划建led芯片生产体系

一份有关俄罗斯照明计划的文件最近签署,为下一代基于GaN半导体芯片的新型普通照明创建一个高技术的工业生产体系。

  https://www.alighting.cn/news/20081217/V18290.htm2008/12/17 8:51:52

俄罗斯为GaN led照明计划注资千万

近日,rusnano、onexim group以及uomp公司签署了一份关于俄罗斯照明计划的文件,为下一代基于GaN半导体芯片的新型普通照明创建了一个高技术的工业生产体系。

  https://www.alighting.cn/news/20081217/96286.htm2008/12/17 0:00:00

俄罗斯政府为GaN led照明注资6300万

署了一份文件。这是一份有关俄罗斯照明计划的文件,为下一代基于GaN半导体芯片的新型普通照明创建一个高技术的工业生产体

  https://www.alighting.cn/news/20081216/121241.htm2008/12/16 0:00:00

日企三菱优先投资白色led,力争2015年独佔GaN底板市场

近日,日本三菱化学召开了经营方针说明会,宣佈今后将优先投资白色led及车载鋰离子充电电池材料两大领域。该公司08年5月便发佈了中期经营计划,但受最近经营环境恶化的影响,此次又推出了

  https://www.alighting.cn/news/20081211/107379.htm2008/12/11 0:00:00

led芯片制造流程

led制作流程分为两大部分。1、在衬底上制作氮化镓(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之

  http://blog.alighting.cn/mule23/archive/2008/12/2/9371.html2008/12/2 14:14:00

半导体照明有望成为节能环保的优质光源

随着发光材料与发光技术的不断革新,半导体技术在照明领域掀起了一场新的革命——半导体照明。半导体(led)照明产品,尤其是氮化镓基(GaN)白光led照明光源体积小、重量轻、方向性

  https://www.alighting.cn/resource/20081119/128630.htm2008/11/19 0:00:00

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