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高亮度发光二极管(hi-led)是一种半导体设备，只允许电流按一个方向流动。它是由两种半导体材料结合后所形成的pn结构成的。高亮度led与标准led的差别在于它们的输出功率。传
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
置，封装在单次不透明浇铸化合物中完成浇铸。 堆叠式led的优势 集成度高: 通过采用传统ic组件设备，堆叠式led技术大大增强了封装功能和灵活性。从本质上看，发射机-检测器芯片
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134098.html2011/2/20 22:20:00
0a还有2个spi口，每个spi口有4根片选信号，通过片选均可以支持外接15个设备。该系统的做法是将2个spi口分别接到列驱动电路和行驱动电路上，并利用各自的2个片选信号cs0和c
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134099.html2011/2/20 22:20:00
因如此，发光二极管灯泡将会从传统的电子设备指示灯中脱颖而出，成为照明领域的一可新星，导致一场新的照明革命。半导体超高亮度发光二极管（led），尤其是氮化物白光发光二极管，具有体积小
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134107.html2011/2/20 22:48:00
定的方法和专用的设备仪器来解决。cie制定了一些led测量方面的标准，一些标准还在制定之中，部分标准将成为cie/iso以及cie/iec的联合标准，以统一国际间led测量问题。中
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134109.html2011/2/20 22:49:00
分、晶相等品质容易控制，可在形状复杂的基材衬底上形成均匀镀膜，结构密致，附着力良好之优点，因此ｍｏｃｖｄ已经成为工业界主要的镀膜技术。ｍｏｃｖｄ制程依用途不同，制程设备也有相
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00
为8mm～12nm；3)寿命长，可达5万小时；4）符合环保要求，led不含汞，5）与el背光相比，led背光不会产生于扰。因此，led背光广泛用于pc、tv、汽车音响、手机、通信设
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134113.html2011/2/20 22:51:00
板之间的密著性直接左右热传导效果，因此印刷电路板的设计变得非常复杂，有监于此美国 lumileds 与日本 citizen 等照明设备、 led 封装厂商，相继开发高功率 led
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134148.html2011/2/20 23:07:00
在手持设备中最流行的电池是锂离子电池，电池电压的范围从满充电时的4.2v下降到放电状态的大约3.3v。在背光应用中，白光led在电流为20ma时通常展示出大约3.4v的正向电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134149.html2011/2/20 23:07:00
路。本应用笔记所描述的电路基于高度集成的max16802 pwm led驱动器ic。 应用 * led轨道照明 * 通用led照明设备 特性 * 10.8v至24
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134150.html2011/2/20 23:07:00
