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功率型led封装技术的关键工艺分析

式的led封装形式,将会因为散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄,从而造成器件的加速光衰直至失效,甚至因为迅速的热膨胀产生的应力造成开路而失效。 因此,对于大工作电

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271728.html2012/4/10 23:29:39

led光源在工程应用中的一些常识

担的电压或电流过低则激发的led光强不够,就不能充分发挥led应有的效果,达不到我们期望的目的.4. 温度特性(1)led的焊接温度应在250℃以下,焊接时间控制在3~5s之间

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271731.html2012/4/10 23:29:48

手机相机的led闪光灯驱动电路

动电路中,通过检测串联在led上电阻的电压来保证流过led的电流恒定。这种方式可以消除正向电压变化导致的电流变化,因此可产生固定的led亮度。由于手机电池电压的工作范围一般为3.

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271736.html2012/4/10 23:30:12

白色led的恒流驱动

性,驱动led的电流必须低于led额定值的要求,典型最大值一般为30ma,但是,从图2可以看出:当环境温度升高时允许的额定电流会降低,通常,当温度达到50°c时电流需限制在20m

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271739.html2012/4/10 23:30:19

高亮度led封装工艺技术及方案

粉  四、蓝led+znse单结晶基板  目前手机、数字相机、pda等背光源使用之白光led采用蓝光单晶粒加yag萤光而成。随着手机闪光灯、大中尺寸(nb、lcd-tv等)显示屏光

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271741.html2012/4/10 23:30:25

控制多个led的功率及成本

路的输出电压由led的前向电压及感应电阻两端的电压确定。此时,输出电压约为10.5伏特。由于此为恒定电流系统,在脉宽调制的输出端无需大的输出能力。从而不仅节省了元件成本,同时还有助

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271744.html2012/4/10 23:30:40

未来新星 浅谈oled显示技术

模日渐壮大。oled技术的飞速发展已经动摇了 lcd 与 pdp 的霸主地位,成为未来显示领域极具竞争力的新星。   oled显示技术是一门相当年轻的显示技术,依其使用的有机半导

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271746.html2012/4/10 23:30:47

led显示屏动态显示和远程监控的实现

位寄存器4094及附属电路组成。该电路设计的电子屏可显示10个汉字,需要40个8×8 led点阵模块,可组成16×160的矩形点阵。由于at89c52仅有8k存储空间,而显示的内容

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271750.html2012/4/10 23:30:57

led显示屏动态显示和远程监控的实现

位寄存器4094及附属电路组成。该电路设计的电子屏可显示10个汉字,需要40个8×8 led点阵模块,可组成16×160的矩形点阵。由于at89c52仅有8k存储空间,而显示的内容

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芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

大,对减小p型欧姆接触电阻有利,但增加了电流运输的距离,可能使体电阻增加,两种效果冲抵使得芯片的i-v特性与尺寸小一些的图1(b)版图芯片相似。图2(a)采用对角电极,测i-v特

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