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式的led封装形式,将会因为散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄,从而造成器件的加速光衰直至失效,甚至因为迅速的热膨胀所产生的应力造成开路而失效。 因此,对于大工作电
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担的电压或电流过低则激发的led光强不够,就不能充分发挥led应有的效果,达不到我们所期望的目的.4. 温度特性(1)led的焊接温度应在250℃以下,焊接时间控制在3~5s之间
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动电路中,通过检测串联在led上电阻的电压来保证流过led的电流恒定。这种方式可以消除正向电压变化所导致的电流变化,因此可产生固定的led亮度。由于手机电池电压的工作范围一般为3.
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271736.html2012/4/10 23:30:12
性,驱动led的电流必须低于led额定值的要求,典型最大值一般为30ma,但是,从图2可以看出:当环境温度升高时所允许的额定电流会降低,通常,当温度达到50°c时电流需限制在20m
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粉 四、蓝led+znse单结晶基板 目前手机、数字相机、pda等背光源所使用之白光led采用蓝光单晶粒加yag萤光而成。随着手机闪光灯、大中尺寸(nb、lcd-tv等)显示屏光
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路的输出电压由led的前向电压及感应电阻两端的电压所确定。此时,输出电压约为10.5伏特。由于此为恒定电流系统,在脉宽调制的输出端无需大的输出能力。从而不仅节省了元件成本,同时还有助
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模日渐壮大。oled技术的飞速发展已经动摇了 lcd 与 pdp 的霸主地位,成为未来显示领域极具竞争力的新星。 oled显示技术是一门相当年轻的显示技术,依其所使用的有机半导
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位寄存器4094及附属电路组成。该电路所设计的电子屏可显示10个汉字,需要40个8×8 led点阵模块,可组成16×160的矩形点阵。由于at89c52仅有8k存储空间,而显示的内容
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大,对减小p型欧姆接触电阻有利,但增加了电流运输的距离,可能使体电阻增加,两种效果冲抵使得芯片的i-v特性与尺寸小一些的图1(b)版图芯片相似。图2(a)采用对角电极,所测i-v特
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