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大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层gan薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271169.html2012/4/10 20:58:57
、采用碳化硅基板生长gan薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07
w。开发出最大发光功率5w、120lm的白光led。 osram和gree开发出碳化硅衬底的gan器件。 国外led的技术发展趋势是向大功率、高亮度、高效率、低成本方向发展。1．
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271135.html2012/4/10 20:56:26
d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子，会降低效率。 迄今为止，hbled通常采用两种主要技术制成：ingan和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271130.html2012/4/10 20:55:38
莞福地、东莞高辉、东莞洲磊、福建福日科、泉州晶蓝、泉州和谐华东杭州士兰微、上海蓝光、上海蓝宝、上海大晨、上海宇体、上海起鼎、宁波光磊、扬州华夏、扬州汉光、无锡联欣达、无锡盛德丰、镇
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271127.html2012/4/10 20:55:20
用，都比较完善。可以很方便买到生产设备和原料，接单也容易。”重复建设成隐忧谨防蹈多晶硅覆辙据广东省省情调查研究中心相关报告显示，广东led企业主要位于产业链的中、下游，核心芯片特别是大
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271124.html2012/4/10 20:55:04
电的多少，与人穿的不同面料衣服、及各人的体质有关，秋冬季黑夜我们脱衣服就很容易看见衣服之间的放电现象，这种静电放电的电压就有三千伏。 碳化硅衬底芯片的esd值只有1100伏，蓝宝石
http://blog.alighting.cn/126414/archive/2012/4/10/271122.html2012/4/10 17:21:37
图2所示r20），用于决定调光器何时开启硅控整流器 （scr）。需要这样做的原因是，调光器在三端双向可控硅开关组件旁边有一个电磁干扰 （emi） 抑制电容器，其在无负载情况下的电
http://blog.alighting.cn/126414/archive/2012/4/10/271120.html2012/4/10 17:18:48
http://blog.alighting.cn/126414/archive/2012/4/10/271116.html2012/4/10 17:15:45
是芯片本身；二是灯具技术，包含散热、光学、驱动。首先是芯片，目前，led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化镓等新
http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/4/10/270972.html2012/4/10 10:08:32
