站内搜索
全球八大led芯片制造商 1,cree 著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(sic)，氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34476.html2010/2/27 14:14:00
2,cree著名led芯片制造商,美国公司,产品以碳化硅(sic),氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)
http://blog.alighting.cn/nanker/archive/2010/3/3/34775.html2010/3/3 10:35:00
被整合到后来nichia专利6069440和6614179中.此专利涉及到基于石榴石的GaN led磷光体——描述了nichia商业白光led;toyoda gosei拥有专
http://blog.alighting.cn/nanker/archive/2010/3/25/38698.html2010/3/25 13:43:00
从管芯的两侧引出,而不必象不导电的蓝宝石那样必须都从一侧引出,这样不但可以减少管芯面积还可以省去对GaN外延层的干法腐蚀步骤。同时由于硅的硬度比蓝宝石和sic低,在加工方面也可以节
http://blog.alighting.cn/luhfhy/archive/2010/7/1/53723.html2010/7/1 17:06:00
1,cree 著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(sic)，氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/10/18/108682.html2010/10/18 15:21:00
高光输出量，所以，有逐渐朝向在芯片表面建立texture或photonics结晶的架构。例如德国的osram就是以这样的架构开发出「thin GaN」高亮度led，osram是
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133870.html2011/2/19 23:35:00
额16000万美元，本项目投产后，可形成年产高亮度GaN蓝光外延片72万片，背光芯片46亿颗，照明芯片3.9亿颗的生产规模。作为开发晶的控股方，长城开发借助26年发展积累下来的优势和经验，
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/6/4/188330.html2011/6/4 19:38:00
http://blog.alighting.cn/sztatts/archive/2011/6/22/222656.html2011/6/22 14:48:00
0世纪60年代初，首只镓砷磷(gaasp)红光led诞生，人类开始致力于半导体照明光源技术的实现。 1994年，日本nichia(日亚)化学公司成功开发出GaN基蓝光le
http://blog.alighting.cn/quanlubiaoshi/archive/2011/7/8/229311.html2011/7/8 10:55:00
出量，所以，有逐渐朝向在芯片表面建立texture或photonics结晶的架构。例如德国的osram就是以这样的架构开发出「thin GaN」高亮度led，osram是在inga
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230316.html2011/7/20 0:05:00
