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led主要参数及电学、光学、热学特性

色gaasp为1.2v,gap为1.8v,GaN为2.5v。(2)正向工作区:电流if与外加电压呈指数关系if=is(eqvf/kt–

  http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/31/9242.html2008/10/31 17:45:00

led芯片的制造工艺流程

、技术集成度高的尖端光电子专用设备,主要用于GaN(氮化镓)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造,也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。  led芯片的制

  http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9232.html2008/10/30 20:16:00

led品质的影响因素

产优良的、指  标一致的晶圆是从高品质的led制造材料做起的,进而可以制造出优良的芯片。在决定led所有性能指标的条件中,晶圆生产工艺所采用的化学材料是相当重要的因素。  一片2英

  http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9231.html2008/10/30 20:15:00

现代风格的酒吧灯光表现

独创的电致发光照明方案--lighttape(背光带),是一个独特的晶圆薄灯泡,将给娱乐、展示、展览、标志、安全、体育、销售点广告和建筑方面的灯光照明带来一场革命,给许多应用领

  http://blog.alighting.cn/nsurprise/archive/2008/10/29/9222.html2008/10/29 17:55:00

世纪晶源:外延片预售订货情况火爆

目前,世纪晶源产业基地生产的外延片海内外客户预售订货情况火爆。日本三菱公司等海外客户和台湾多家机构均开始订货,预计每月6吋(相当12寸硅晶圆)微波外延片和特种外延片的订货需求量

  https://www.alighting.cn/news/20081028/107880.htm2008/10/28 0:00:00

冼钰伦

对半导体照明有较系统的研究,研究内容主要包括GaN材料的mocvd外延生长技术,白光大功率led封装技术,led可靠性研究。另外还对led的光学配光设计有较丰富的经验。

  http://blog.alighting.cn/YulunXian/2008/10/20 15:55:24

led

种led是将GaN芯片和钇铝石榴石(yag)封装在一起做成。GaN芯片发蓝光(λp=465nm,wd=30nm),高温烧结制成的含ce3+的yag荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光射,峰

  http://blog.alighting.cn/xi1225/archive/2008/10/14/702.html2008/10/14 18:03:00

2009年半导体产业预期 业界将动荡不安

商处于突然其来的“恐慌状态”。8月的报告中,semi预测2008年晶圆厂设备支出减少20%,而2009年将反弹20

  https://www.alighting.cn/news/20081009/92560.htm2008/10/9 0:00:00

采用光子晶体结构GaN基led 光通量提高42%

阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42%的GaN类led,并在“alps show 2008”(2008年9月25~26日)上展出。发光波长为510.7n

  https://www.alighting.cn/news/20081006/119664.htm2008/10/6 0:00:00

光通量提高至约1.4倍的光子晶体GaN类led

阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42%的GaN类led,并在“alps show 2008”(2008年9月25~26日)上展出。发光波长为510.7n

  https://www.alighting.cn/resource/20081004/128618.htm2008/10/4 0:00:00

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