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、deNso ch-704；电池：deNso bt-50l、deNso b-65N、deNso bt-20lb、deNso scbht-500、deNso whbht-500、deNs
http://blog.alighting.cn/gzmilliontech/archive/2010/12/14/120730.html2010/12/14 11:52:00
务。 新型led的最大特点是：它们由单一成分氮化镓构成。每个led包含p型氮化镓薄膜和其上的N型纳米线。因此，由相同成分形成的p-N结相比成分不同的拥有更高的效率，而且耗电量更
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120561.html2010/12/13 23:07:00
谱。由图可知，这些荧光粉在350Nm下和400Nm以上能够被有效激发，且随铕含量的不同，其激发光谱的形状没有明显的区别，但激发强度明显不同。由此可知，激活剂二价铕的含量对该荧光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120556.html2010/12/13 23:05:00
定电流[11]，远大于实际工作电流。对于蓝宝石绝缘陈衬底上的gaN基led，p型电极和N型电极只能在外延表面的同一侧，这种特殊的器件结构使得靠近N型电极处电流密度很大，所以在正常工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
构设计缓冲层生长N型gaN层生长多量子阱发光层生长p型gaN层生长退火检测（光萤光、x射线）外延片片外延片设计、加工掩模版光刻离子刻蚀N型电极（镀膜、退火、刻蚀）p型电极（镀膜、退
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
以p管s1和N管s4为例，计算开关管的宽长比。根据版图设计规则的要求，单个管子的宽长比w／l可以设定为2.8μm／0.6μm。假设s1的宽长比为x(w／l)，s4的宽长比为y(w／
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120540.html2010/12/13 23:01:00
合物 ，主要是三芳胺衍生物。tpd：N，N′-双（3-甲基苯基）-N，N′-二苯基-1，1′-二苯基-4，4′-二胺Npd: N，N′-双（1-奈基）-N，N′-二苯基-1，1′
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120521.html2010/12/13 22:52:00
这种情况下无法制作垂直结构的器件；通常只在外延层上表面制作N型和p型电极（如图1所示）。在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程，结果
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
d产生的热量究竟有多大？led在正向电压下，电子从电源获得能量，在电场的驱动下，克服pN结的电场，由N区跃迁到p区，这些电子与p区的空穴发生复合。由于漂移到p区的自由电子具有高于p区
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120510.html2010/12/13 22:47:00
衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - N型gaN层生长 - 多量子阱发光层生 - p型gaN层生长 - 退火 - 检测（光荧光、x射线） - 外延片 外延片- 设计、加工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120508.html2010/12/13 22:43:00
