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入电压范围从 4.2v 降至 3.6v 不等，效率水平高于 75%，如图 3 所示。在 lDo 模式中，充电泵的作用就像lDo一样，输入电压经稳压降至 leD 正向电压，通常为 3.
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134152.html2011/2/20 23:08:00
℃ 生长的缓冲层、一个在 1050 ℃ 生长的 2μm 厚的 unDopeD-gan 层、一个在 1050 ℃ 生长的 2μm 厚的 n-gan 层、一个在 800 ℃ 生长的，包含
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右）是一个强宽谱带，它的发射峰与 eu2+ 浓度相关，在 583~603nm 范围。这类激发和发射光谱是 eu2+ 的 4f～7 4f b 5D 跃迁。荧光体的发光强度随 eu2
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构的 leD 芯片到焊接点的热阻抗可以降低 9k/w ，大约是传统 leD 的 1/6 左右，封装后的 leD 施加 2w 的电力时， leD 芯片的接合温度比焊接点高 18k ，即
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入电压下最佳占空比的近似值： 其中rb为整流器电阻，与应用电路中的r11相同，在本应用中设定为1。vD为整流二极管D1的正向压降。 将已知数值代入上式得
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h，且光源可以频繁地亮灭，而不会影响其寿命，并且启动速度非常快。 （6）可以通过控制半导体发光层半导体材料的禁止带幅的大小，从而发出各种颜色的光线，且彩度更高，如图2所示。 （7）光
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a corporation)。 图4给出了四种常用的电源电路，用于驱动leD。图5是相应的对上述6只leD进行调节时得到的电流调节精度。图5中调节器的输出负载线画在leD的vf曲
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器在6.5v至76v宽输入电压范围内保持125khz固定工作频率，是汽车应用的理想之选。亮度控制可以通过模拟(线性调节)或低频占空比(pwm)方式实现。 高亮度leD发展背
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于金属氟化物的复合阴极能够提高oleD的电子注入能力及量子效率。lif，mgf 2，caf2[5]，naf[6] ，csf/ca[7-8] 和 csf/yb/ag[9]等都被证
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率发光二极管。(如果输出电路开路，6.2v的齐纳二极管则导通，产生一个稳压环路)。图2显示了输出电流为0.5～1a时的电流调节。相应的调节效率与输入电压工作范围关系如图3所示。
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