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子镇流器晶体管工作波形参考
https://www.alighting.cn/resource/2012/2/2/171520_19.htm2012/2/2 17:15:20
到2015年，高亮度(hb)led的市场规模预计将达到202亿美元，自2012年算起的年复合增长率(cagr)将达到30.6%。驱动这种显著增长的重要应用领域之一是用于为薄膜晶体
https://www.alighting.cn/news/201385/n731754567.htm2013/8/5 11:12:03
led路灯系统的高效率电源驱动器的设计，其首要的目的就是保证路灯的高频率工况，同时防止供电系统中的干扰侵入到路灯系统中而造成损坏。其次，利用多种复合电路和晶体管来提高供电过程
https://www.alighting.cn/resource/20131101/125161.htm2013/11/1 11:05:49
f toronto)的科研人员借助硅纳米晶体，成功制造出了高效的硅基发光二极管(sileds)，该二极管不含重金属，却能够发射出多种颜色的
https://www.alighting.cn/news/2013225/n938249205.htm2013/2/25 16:08:13
8月14日，京东方科技集团股份有限公司与合肥市人民政府、巢湖城市建设投资有限公司签署了《合肥鑫晟光电科技有限公司薄膜晶体管液晶显示器件(tft-lcd)8.5代生产线项目投资框
https://www.alighting.cn/news/20120816/114395.htm2012/8/16 10:46:30
相似,纳米线面密度不同。利用x射线衍射和透射电镜研究纳米线的生长取向和晶体结构,结果显示纳米线具有闪锌矿结构,生长方向〈111〉,并且具有层状孪晶结构。与inp体材料相比,纳米线的
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05
m)对其表面形貌和结构进行了测试和分析。通过测试分析得知,这些zno薄膜在生长温度400℃时能够获得较好的晶体结构,薄膜表面平整,晶粒均
https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09
本论文主要围绕提高g8n基led的光提取效率之激光剥离技术以及基于激光剥离技术的垂直型gan基l即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶体键合技术，成功地将gan薄膜从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17
采用数值算法自洽求解poisson和schr?dinger方程,计算了algan势垒层的应变弛豫度对高al含量algan/gan高电子迁移率晶体管(hemt)中的导带结构、电子浓
https://www.alighting.cn/resource/20110816/127305.htm2011/8/16 14:21:55
制及其它电子器件结构生长的一个关健问题。近年来, 随着工艺的发展, gan晶体质量得到大幅度的提高。同时不少研究小组成功地在si衬底上制造出led。介绍了gan薄膜开裂问题及近期硅衬
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
