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gan外延片中载流子浓度的纵向分布

采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ecv)分析仪,对掺硅gan外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口mocvd设备上生产的gan基外延片的载流子浓度纵向分

  https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55

led芯片制作不可不知的衬底知识

外延片的生产制作过程是非常复杂,展完外延片,接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试,符合要求的就是良品,其它为不良品(电压偏差很大,波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(

  https://www.alighting.cn/2013/10/11 11:32:22

浅谈led所用荧光粉的大功率小功率荧光粉的误读

自从yag,氮化,硅酸盐荧光粉导入半导体封装后,很多新生代的白光工程师对led所用的荧光粉产生了误读,led荧光粉在使用过程中并不存在有大功率小功率荧光粉之分。

  https://www.alighting.cn/resource/20131008/125264.htm2013/10/8 13:30:40

led基础知识大普及

发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合,如gaas(砷化镓)、gap(磷化镓)、gaasp(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是pn结。因此它具有一般p- n结的i-n特性,即正向导通,反

  https://www.alighting.cn/resource/20130922/125301.htm2013/9/22 16:24:22

led封装领域用陶瓷基板现状与发展分析

脂中添加大量的有机溴化也无济于

  https://www.alighting.cn/resource/2013/9/18/17855_45.htm2013/9/18 17:08:55

牺牲ni退火对硅衬底gan基发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖层之

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

硅基gan led及光萃取技术实现高性价比照明

传统的氮化镓(gan)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底,因为这两种材料与gan的晶格匹配度较好,衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6

  https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42

led驱动特点及未来发展

led驱动在作为led灯“心脏”的同时,再次勇于承担“大脑”的责任,为灯具赋予了种种神奇的功能,未来,在智能led驱动的协助下,led灯可以实现人类梦想中的功能,成为“感知中国”

  https://www.alighting.cn/2013/8/22 10:58:58

照明设计软件dialux evo 2安装软件

光场景,并且可以规划整栋建筑

  https://www.alighting.cn/resource/2013/8/8/152617_29.htm2013/8/8 15:26:17

硅基氮化镓在大功率led的研发及产业化

日前,在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电硅衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率led的研发及产业化”的报告,

  https://www.alighting.cn/resource/20130627/125479.htm2013/6/27 10:44:37

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