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目前工研院已成功建立高温常压磊晶机台，更已在gan on gan技术上深耕多年，从早期的hvpe氮化镓基板成长到目前的蓝紫光led磊晶技术，技术面皆已突破现今gan o
https://www.alighting.cn/2013/11/5 9:56:22
台湾国立成功大学和金铝公司今天签约共同投资生产氮化铝，也是台湾第一个氮化铝产业；金铝公司表示，台湾氮化铝都是从外进口，自己产制后，氮化铝成本预计降低3成。
https://www.alighting.cn/news/20091009/108314.htm2009/10/9 0:00:00
德国爱思强股份有限公司于1月15日宣布，聚灿光电科技(苏州)有限公司向其订购多套crius ii-l系统，用于大批量生产氮化镓(gan)发光二极管(led)外延片。所订购系统每
https://www.alighting.cn/news/20130116/112829.htm2013/1/16 10:52:45
近日，裕隆集团转投资led外延厂广镓2008年财报出炉，其每股盈余为1.46元新台币，由于目前市况不佳，公司决撤回上市申请，待股市好转后再重新申请上市。
https://www.alighting.cn/news/20090219/118907.htm2009/2/19 0:00:00
爱思强股份有限公司8月14日宣布，台湾中央大学向其订购一套新的mocvd系统。此次订购的1x6英寸爱思强近耦合喷淋头? mocvd系统，将用于在6英寸的硅基材上生长氮化镓外延结
https://www.alighting.cn/news/20120815/114421.htm2012/8/15 11:48:41
9月21日，led芯片大厂晶电控告广镓专利侵权案判决出炉，法院宣判晶电主张专利无效，广镓获得胜利。
https://www.alighting.cn/news/20090922/119162.htm2009/9/22 0:00:00
针对led的散热问题，led产业的许多先进解决方案中，处处采用了一种关键性材料-氮化硼(boron nitride,bn)，该材料具有高绝缘性、高导热性、高润滑性、耐高温和不沾
https://www.alighting.cn/news/20070614/106033.htm2007/6/14 0:00:00
质外延衬底的研制对发展自主知识产权的氮化物半导体激光器、大功率高亮度半导体照明用led，以及高功率微波器件等是很重要的。“氮化物衬底材料的评价因素及研究与开发”文
https://www.alighting.cn/news/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
https://www.alighting.cn/resource/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
外媒报导，日本田村制作所与光波公司，开发出了使用氧化镓基板的gan类led元件，预计该元件及氧化镓(ga2o3)基板可在2011年度末上市。
https://www.alighting.cn/news/20110330/116646.htm2011/3/30 10:07:12
