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tamura中止研发氧化基板led

日本电子材料/零件商tamura已中止研发使用氧化(gallium oxide)基板的led。

  https://www.alighting.cn/news/20160114/136389.htm2016/1/14 9:36:53

蓝宝石衬底分步清洗及其对后续氮化的影响

通过反射高能电子衍射仪(rheed)分析蓝宝石衬底在经过双热电偶校温的ecr-pemocvd 装置中清洗氮化实验表面晶质的rheed图像,研究了常规清洗和ecr等离子体所产生的活

  https://www.alighting.cn/resource/20110726/127392.htm2011/7/26 18:57:31

apt-b5501ab倒装芯片[广州晶科]

产功率型氮化蓝led芯片和超大功率模组芯片(5w、10w、15w、30w等)为主。今天主要推荐:产品型号: apt-b5501ab-v www ll的1w 氮化蓝光led倒装芯

  https://www.alighting.cn/pingce/20101016/123235.htm2010/10/16 18:31:30

解读gan on gan led破效率与成本“魔咒”

目前工研院已成功建立高温常压磊晶机台,更已在gan on gan技术上深耕多年,从早期的hvpe氮化基板成长到目前的蓝紫光led磊晶技术,技术面皆已突破现今gan o

  https://www.alighting.cn/2013/11/5 9:56:22

台湾首例氮化铝投资 led成本降3成

台湾国立成功大学和金铝公司今天签约共同投资生产氮化铝,也是台湾第一个氮化铝产业;金铝公司表示,台湾氮化铝都是从外进口,自己产制后,氮化铝成本预计降低3成。

  https://www.alighting.cn/news/20091009/108314.htm2009/10/9 0:00:00

聚灿光电订购爱思强crius ii-l系统生产外延片

德国爱思强股份有限公司于1月15日宣布,聚灿光电科技(苏州)有限公司向其订购多套crius ii-l系统,用于大批量生产氮化(gan)发光二极管(led)外延片。所订购系统每

  https://www.alighting.cn/news/20130116/112829.htm2013/1/16 10:52:45

广决议撤回上市申请案

近日,裕隆集团转投资led外延厂广2008年财报出炉,其每股盈余为1.46元新台币,由于目前市况不佳,公司决撤回上市申请,待股市好转后再重新申请上市。

  https://www.alighting.cn/news/20090219/118907.htm2009/2/19 0:00:00

台湾中央大学采用爱思强mocvd,用于6英寸硅基氮化外延生长

爱思强股份有限公司8月14日宣布,台湾中央大学向其订购一套新的mocvd系统。此次订购的1x6英寸爱思强近耦合喷淋头? mocvd系统,将用于在6英寸的硅基材上生长氮化外延结

  https://www.alighting.cn/news/20120815/114421.htm2012/8/15 11:48:41

led散热新方案,氮化硼成为关键材料

针对led的散热问题,led产业的许多先进解决方案中,处处采用了一种关键性材料-氮化硼(boron nitride,bn),该材料具有高绝缘性、高导热性、高润滑性、耐高温和不沾

  https://www.alighting.cn/news/20070614/106033.htm2007/6/14 0:00:00

晶电控告广专利侵权案判决出炉 广胜诉

9月21日,led芯片大厂晶电控告广专利侵权案判决出炉,法院宣判晶电主张专利无效,广获得胜利。

  https://www.alighting.cn/news/20090922/119162.htm2009/9/22 0:00:00

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