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led散热新方案,氮化硼成为关键材料

针对led的散热问题,led产业的许多先进解决方案中,处处采用了一种关键性材料-氮化硼(boron nitride,bn),该材料具有高绝缘性、高导热性、高润滑性、耐高温和不沾

  https://www.alighting.cn/news/20070614/106033.htm2007/6/14 0:00:00

晶电控告广专利侵权案判决出炉 广胜诉

9月21日,led芯片大厂晶电控告广专利侵权案判决出炉,法院宣判晶电主张专利无效,广获得胜利。

  https://www.alighting.cn/news/20090922/119162.htm2009/9/22 0:00:00

led相关材料成“十二五”新材料发展重点

半导体材料作为新材料发展重点之一,将以高纯度、大尺寸、低缺陷、高性能和低成本为主攻方向,逐步提高关键材料自给率。开发电子级多晶硅、大尺寸单晶硅、抛光片、外延片等材料,积极开发氮化

  https://www.alighting.cn/news/20120228/99663.htm2012/2/28 14:18:57

新纳晶高亮度led芯片项目获2500万元资助

担的“高亮度氮化基半导体照明外延片、芯片的研发及产业化”科技项目给予2500.3万元的资

  https://www.alighting.cn/news/20140731/111070.htm2014/7/31 9:11:20

氮化物衬底材料与半导体照明的应用

质外延衬底的研制对发展自主知识产权的氮化物半导体激光器、大功率高亮度半导体照明用led,以及高功率微波器件等是很重要的。“氮化物衬底材料的评价因素及研究与开发”文

  https://www.alighting.cn/resource/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07

氮化物衬底材料与半导体照明的应用

质外延衬底的研制对发展自主知识产权的氮化物半导体激光器、大功率高亮度半导体照明用led,以及高功率微波器件等是很重要的。“氮化物衬底材料的评价因素及研究与开发”文

  https://www.alighting.cn/news/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07

日本发表使用氧化基板的gan类led元件

外媒报导,日本田村制作所与光波公司,开发出了使用氧化基板的gan类led元件,预计该元件及氧化(ga2o3)基板可在2011年度末上市。

  https://www.alighting.cn/news/20110330/116646.htm2011/3/30 10:07:12

广2月营收佳 年增率高

led芯片厂广光电(8199)2月营收达新台币2亿5971万,年增210.98%。广累计前2月营收5亿386万元,年增长261.99%。

  https://www.alighting.cn/news/20100312/117685.htm2010/3/12 0:00:00

ucsb:俄歇复合为led效率下降的主要原因

美国加州大学圣塔芭芭拉分校 (ucsb)的研究团队宣称通过第一原理计算发现,对于以氮化钾(gan)为主的led,俄歇复合(auger recombination)是其效率下

  https://www.alighting.cn/news/20090615/104758.htm2009/6/15 0:00:00

广中科新厂将引领高成长动能

led晶粒厂广(8199)受惠于整体接单产能延续满载状态,在下游客户存货盘点影响下,07年12月营收仍旧以2.09亿元续创历史新高,累计07年度总营收亦因此扩增至18.83亿

  https://www.alighting.cn/news/20080109/119657.htm2008/1/9 0:00:00

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