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本论文目标就是以方法简便为原则，探索无污染、低成本的提高GaN 材料晶体质量的方法。在具体的工作中，我们系统研究了采用图形衬底技术、原位sinx 纳米掩膜技术等方法生长GaN 薄
https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11
传统的氮化镓(GaN)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底，因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6
https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42
随着第一代以c面氮化镓为基础的固体照明材料遇到瓶颈， 半极性氮化镓材料成为全球光学材料研究热点之一，但却一直无法解决批量生产的问题，价格居高不下。成立于2014年的初创公
https://www.alighting.cn/pingce/20160812/142812.htm2016/8/12 10:03:52
南加州ostendo tech inc.所属磊晶实验室(ostendo epi lab.) 研发出世界第一个全彩led。他们使用氮化镓材料研发出三种特殊的量子结构，可以发出三种不
https://www.alighting.cn/pingce/20161227/147168.htm2016/12/27 11:57:42
2月15日，中国科学院半导体所创新项目“氮化镓基倒装结构功率型半导体发光二极管(led)及关键技术”通过成果鉴定。
https://www.alighting.cn/news/200725/V136.htm2007/2/5 11:37:38
欧司朗光电半导体德国总部项目经理 peter stauss 博士指出：“我们多年的研发投入终于有了回报：不仅成功地提升了硅基上氮化镓层的质量，产品的效能和亮度也极具竞争力。
https://www.alighting.cn/news/2012113/n121037049.htm2012/1/13 9:39:57
tdi公司，复合氮化物半导体材料领先开发商和供应商，宣布推出世界首个氮化铟镓衬底材料。氮化铟镓是蓝，绿和白光led和蓝激光管生产的主要复合半导体材料。
https://www.alighting.cn/news/2007821/V8265.htm2007/8/21 11:29:42
比利时纳米电子研究中心imec与veeco正在进行项目合作，旨在降低生产硅基氮化镓(GaN-on-si)功率器件和led的成本。
https://www.alighting.cn/news/20130905/111899.htm2013/9/5 9:35:43
4英寸氮化镓自支撑衬底，为东莞市中镓半导体科技有限公司2019神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20190326/161048.htm2019/3/26 11:23:28
《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》内容：lain-aiGaN-GaN,研究动机,材料的生长和表征;GaN-inGaN材料,研究动机,材料的生长和表征,在沟槽GaN模板层上生
https://www.alighting.cn/resource/2011/5/6/182815_98.htm2011/5/6 18:28:15
