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稀土发光材料在固体白光led照明中的应用

固体白光发光二极管将成为21世纪新一代的节能光源。要实现白光发射的重要途径之一是利用稀土发光材料的荧光转换技术,把ingan半导体管芯发射的460 nm蓝光或400 nm近紫外光转

  https://www.alighting.cn/resource/20130327/125807.htm2013/3/27 14:05:59

提高ganled的光提取效率之激光剥离技术的研究

本论文主要围绕提高g8nled的光提取效率之激光剥离技术以及于激光剥离技术的垂直型ganl即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶体键合技术,成功地将gan薄膜从蓝宝

  https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17

硅衬底ganled外延生长的研究

采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此础上外延生长出了gan发光二极管(led)外

  https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15

白光led用稀土红色荧光粉的研究进展

粉性能对白光led的显色指数及色温的影响极其显著。本方法着重介绍和评述了白光led用红色荧光粉硫化物、氮化物、钼酸盐和钨酸盐等几大主要体系的发光性质及最新研究成果和发展现状,并对白

  https://www.alighting.cn/resource/20130325/125824.htm2013/3/25 11:34:41

于mems的led芯片封装光学特性分析

本文提出了一种于mems的led苍片封装技术,利用体硅工艺在硅上形成的鲫槽作为封装led芯片的反射腔。分析了反射腔对libel)的发光强度和光束眭能的影响,分析结果表明废反射

  https://www.alighting.cn/resource/20130325/125825.htm2013/3/25 11:15:34

ganled外延材料缺陷对其器件可靠性的影响

采用x光双晶衍射仪分析了gan发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的

  https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55

大功率led封装技术研究

板工作时温度、光效和电流的关系,并与铝覆铜板作为封装板时进行了比

  https://www.alighting.cn/resource/20130311/125920.htm2013/3/11 10:11:24

gan蓝光led关键技术进展

以高亮度gan 蓝光led 为核心的半导体照明技术对照明领域带来了很大的冲击, 并成为目前全球半导体领域研究和投资的热点。本文首先综述了gan 材料的本特性, 分析了ga

  https://www.alighting.cn/resource/20130311/125922.htm2013/3/11 9:40:56

提高发光二极管中gan_材料质量的技术研究

本论文目标就是以方法简便为原则,探索无污染、低成本的提高gan 材料晶体质量的方法。在具体的工作中,我们系统研究了采用图形衬底技术、原位sinx 纳米掩膜技术等方法生长gan 薄膜

  https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11

ganled研究的最新进展

简述了led的发展历史,讨论了国际上最新研究出的ganled的结构和工作原理,以及为改善ganled性能而采取的一些手段,同时也对这些方法的优缺点进行了分析,对led的老化机

  https://www.alighting.cn/resource/20130307/125939.htm2013/3/7 11:21:14

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