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采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面gan,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光致发光
https://www.alighting.cn/resource/20110817/127304.htm2011/8/17 11:37:33
美国市场调研公司strategies unlimited 最新发布的一项报告显示，由于市场上对蓝紫色激光二极管、uv led和其它设备的需求日益增长，这将使得先进衬底技术。
https://www.alighting.cn/news/20090602/104761.htm2009/6/2 0:00:00
6月10日，2015阿拉丁照明论坛之技术峰会隆重开启。“技术峰会ⅱ：芯片、封装与模块化技术”论坛在中国进出口商品交易会展馆-b区8号会议室顺利召开。晶能光电有限公司硅基led研
https://www.alighting.cn/news/20150610/130039.htm2015/6/10 13:37:30
近年，以氮化镓(gan)、碳化硅(sic)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料在引发全球瞩目，成为全球半导体研究前沿和热点，中国也不例外地快马加鞭进行部署。
https://www.alighting.cn/news/20160104/135902.htm2016/1/4 10:50:21
本文为日本名城大学hiroshi amno教授关于《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》的一篇精彩演讲的演讲稿件，现在共享与此，提供给大家参考阅读。
https://www.alighting.cn/resource/20120326/126644.htm2012/3/26 14:09:45
当然gan与si 衬底之间存在热失配、晶格失配等问题，很容易出现龟裂现象，要在硅衬底上生长高质量的氮化镓基led确实是一个严峻的挑战。在这方面处于世界前列的晶能光电认为，硅衬
https://www.alighting.cn/news/20111117/90028.htm2011/11/17 10:11:23
ccs-mocvd系统生长了ingan/gan mqw蓝光led外延片。通过实验，对两片样品外延片进行了分析和测试，发现衬底氨化时间的长短和生长gan缓冲层镓量与氨量的化学计量
https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18
石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300℃中将gan 基led 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具有垂直结构的gan 基led, 并对其电学和光学特性进行了测
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
led芯片的生产通常是使用昂贵的蓝宝石基片在2至4英寸的晶圆上完成。东芝与bridgelux, inc.已经开发出一种在200mm硅晶圆上制造氮化镓led的工艺，而东芝目前已将
https://www.alighting.cn/pingce/20121217/121992.htm2012/12/17 9:42:51
碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28
