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高效率异质结构led

据台湾媒体报道,是微电子工业最常使用的材料,但由于它具有非直接能带(indirect bandgap),发光效率非常低。

  https://www.alighting.cn/resource/20100224/128766.htm2010/2/24 0:00:00

cree年底前完成4英寸芯片升级

cree公司ceo chuck swoboda表示,公司已经开始生产四英寸的外延片,同时计划在led产品方面增加研发开支,逐步转向四英寸碳化衬底,预计在第三季度度末四英寸芯片

  https://www.alighting.cn/news/20090616/95477.htm2009/6/16 0:00:00

中国梦的中国芯:晶能光电衬底大功率led芯片

晶能光电ceo王敏博士给阿拉丁神灯奖主办方暨评委的一封公开信。

  https://www.alighting.cn/pingce/20130514/122103.htm2013/5/14 13:50:05

led外延片介绍以及辨别外延片质量方法

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技

  https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30

客户回补库存,旺营收月增42.3%

在客户回补库存带动下,旺科技(6223)3月营收顺利突破新台币1亿元大关,月增达42.3%。旺表示,面板驱动器及手机射频芯片客户需求最强劲,3月探针卡出货量达21.16万针,

  https://www.alighting.cn/news/20090403/95773.htm2009/4/3 0:00:00

分析称国内大功率led芯片良品率不高

全球市场上led芯片基片制造的主流技术是蓝宝石衬底技术和碳化衬底技术,它们分别属于日本日亚公司和美国cree公司。我国芯片制造企业大多使用日本日亚的蓝宝石衬底技术,但需要向日本

  https://www.alighting.cn/resource/20100712/127927.htm2010/7/12 16:21:15

衬底gan基led外延生长的研究

采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外

  https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15

衬底材料——半导体照明的基石

展的基石,是半导体照明产业的核心技术,具有举足轻重的地位。衬底材料的选用直接决定了led芯片的制造路

  https://www.alighting.cn/resource/20060627/128937.htm2006/6/27 0:00:00

基gan led及光萃取技术实现高性价比照明

传统的氮化镓(gan)led元件通常以蓝宝石或碳化(sic)为衬底,因为这两种材料与gan的晶格匹配度较好,衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的晶圆(6

  https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42

晶能光电:大尺寸衬底led技术的最新进展

6月10日,在广州举行的2013年新世纪led峰会外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“衬底氮化镓大功率led的研发及产

  https://www.alighting.cn/news/20130617/112630.htm2013/6/17 17:57:58

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