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科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1 cm-2，引起vf偏移的基面位错容量小于0.
https://www.alighting.cn/news/2012919/n001043708.htm2012/9/19 14:16:38
高亮度led主要分为红外光的gaas体系和algaas体系，红、橙、黄、绿色的algainp体系，绿色和蓝色的ingan体系，以及紫外光的gan和algan体系。目前ingan体系
https://www.alighting.cn/news/20130412/90243.htm2013/4/12 9:44:22
据了解，晶能光电长期致力于研制gan-on-si mocvd生长技术，该公司总部坐落于江西南昌，本次演示的是一款冷白光led，在350ma电流下光输出超过100流明，采用1x1mm
https://www.alighting.cn/news/20090921/120400.htm2009/9/21 0:00:00
因具有超高解析度，高色彩饱和度，纳秒级响应时间以及低功耗等优点，micro led成为apple、sony、facebook、samsung、lg、osram、nichia等国际大
https://www.alighting.cn/news/20180823/158156.htm2018/8/23 9:41:53
一份关于蓝宝石衬底的详细介绍，现在分享给大家，欢迎各位下载附件，查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/3/19 11:05:11
采用熔融的koh溶液腐蚀蓝宝石衬底,获得具有三角形图案的腐蚀坑形貌,并对腐蚀坑的三角形形状给出了理论解释。在不同温度和不同的腐蚀时间进行对比结果分析,发现在280℃下腐蚀6
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127222.htm2011/8/31 15:44:51
近日，碳化硅功率器件领域的市场领先者cree公司(nasdaq: cree)日前宣布推出最新z-rec?650v 结型肖特基势垒(jbs)二极管系列。
https://www.alighting.cn/pingce/20110111/123106.htm2011/1/11 17:17:17
用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料，这样可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。可是，制备氮化镓体单晶材
https://www.alighting.cn/resource/20110211/128058.htm2011/2/11 10:38:56
2007年3月19日，澳大利亚bluglass公司声称观察到玻璃衬底gan led的短暂发光。
https://www.alighting.cn/resource/20070320/128486.htm2007/3/20 0:00:00
为了降低si衬底gan基led的开启电压及工作电压，本文提出了一种新型通孔结构发光二级管，并提出一种电路有限元模型，分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。
https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10
