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本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底gan基led薄膜p型欧姆接触的影响，在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34
为了降低si衬底gan基led的开启电压及工作电压，本文提出了一种新型通孔结构发光二级管，并提出一种电路有限元模型，分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。
https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10
带反并联二极管igbt中的二极管设计
https://www.alighting.cn/resource/200728/V12398.htm2007/2/8 13:36:04
amoled 是替代tft-lcd 的最佳显示技术：oled(有机发光二极管)采用的是通过电流刺激发光材料主动发光获得显示效果的新型平面显示技术;其中制程相对较简单的pmole
https://www.alighting.cn/resource/20110629/127484.htm2011/6/29 18:06:59
分析表明在老化过程中ingan/gan 多量子阱结构蓝光发光二极管量子阱内的缺陷及其束缚的载流子数量增加，形成了增强的极化电场屏蔽效应，减弱的等效极化电场导致了量子阱的能带倾斜变
https://www.alighting.cn/2014/11/24 11:48:19
发光二极管(led)是一种半导体，在电压/电流源的正向偏置条件下，可以发出一种特定颜色(波长)的可见光，其亮度取决于本身的参数和电源的参数。第一个led是通用电气公司研究人员大
https://www.alighting.cn/resource/20100812/128328.htm2010/8/12 10:06:06
当oled显示器件成为主流时，设计工程师也面临着显示技术进步的压力。有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)器件正逐渐进入主流显示市
https://www.alighting.cn/2012/12/30 10:22:24
我国自主研制的第一个发光二极管(led)，比世界上第一个发光二极管仅仅晚几个月。据专家称，目前我国半导体发光二极管产业的技术水平，与发达国家只相差3年左右。通过国家科技攻关计划
https://www.alighting.cn/resource/20060220/128799.htm2006/2/20 0:00:00
分析了大功率白光发光二极管(led)封装中的热问题,研究了采用sn100c无铅合金焊料进行金属化固晶的方法和工艺,有效地消除回流焊固晶时晶片底部的空洞,降低大功率led的封装热
https://www.alighting.cn/resource/20130319/125860.htm2013/3/19 10:39:29
基于温室植物光合作用和光形态调节原理，设计了发光二极管(led)温室植物生产灯.以点光源模型来计算单元模块在照明参考平面上照明区域内的的光照度和光质.数值计算结果表明：方案二由
https://www.alighting.cn/resource/20110927/127069.htm2011/9/27 14:27:28
