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最新实验报告显示，用100w的集成模块对比，用纯铜片的模块在芯片温度高到75摄氏度时，用金刚石-铜复合片的模块芯片温度只有65摄氏度。而今国内已开发出金刚石-铜复合片。导热率比纯铜
https://www.alighting.cn/resource/20110707/127450.htm2011/7/7 11:58:41
目前在led制程中，蓝宝石基板虽然受到来自si与gan基板的挑战，但是考虑到成本与良率，蓝宝石在近两年内仍然具有优势，可以预见接下来蓝宝石基板的发展方向是大尺寸与图案化（ps
https://www.alighting.cn/resource/20130816/125399.htm2013/8/16 11:56:41
利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(mocvd)在蓝宝石衬底上生长gan时,gan低温缓冲层的生长压力对高温生长gan外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫
https://www.alighting.cn/resource/20130625/125485.htm2013/6/25 16:38:58
led芯片的湿法表面粗化技术主要阐述经过粗化的gan基led芯片，亮度增加可达24%以上。采用湿法腐蚀方法对gan材料表面进行处理，对其表面形貌进行分析同时将其制作成芯片，对其光
https://www.alighting.cn/resource/20110712/127432.htm2011/7/12 17:59:48
为了改善led芯片本身的散热，其最主要的改进就是采用导热更好的衬底材料。早期的led只是采用si硅作为衬底。后来就改为蓝宝石作为衬底。但是蓝宝石衬底的导热性能不是太好，(在100
https://www.alighting.cn/resource/20140526/124550.htm2014/5/26 11:11:04
以gan为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料，在白光led、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景。
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127977.htm2010/7/12 18:02:38
2004年7月12日，一个令人振奋的固态照明研究项目在欧洲正式启动，位于德国西部的aixtron ag公司也涉足其中。
https://www.alighting.cn/resource/20040712/128407.htm2004/7/12 0:00:00
led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基片上生长结晶而成。
https://www.alighting.cn/resource/20110111/128087.htm2011/1/11 16:29:26
采用射频磁控溅射方法分别在蓝宝石(al2o3)(0001)和硅(100)衬底上制备zno薄膜.通过x-光衍射测量与分析表明两者都沿c轴方向生长,在al2o3衬底上的zno薄膜结
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126126.htm2013/1/23 13:45:44
在分子束外延的过程中,使用低温衬底(200-300摄氏度)生长的gaas(ltg-gaas)在化学配比,结构和性能上与普通衬底温度(600摄氏度)相比都有着不同的特点,这些差异可
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09
