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蓝宝石图形化的gan基led大功率芯片的研究和产业化

本工作对比研究了蓝宝石图形(pss)和平面(non-pss)上制备gan基45mil功率型led芯片的光电特性。相比较平面,在pss上制备的大功率芯片的发光效率提

  https://www.alighting.cn/resource/20130305/125961.htm2013/3/5 10:44:44

gan同质外延和竖直结构大功率led

北京大学的张国义整理的关于《gan同质外延和竖直结构大功率led》的技术资料,分享给大家。

  https://www.alighting.cn/resource/20130226/126001.htm2013/2/26 11:28:48

值得商榷的led路灯普及

地方政府在led产业扶持上又出大手笔了,某市某区力争在今年(2013年)完成led项目改造,包括公共照明领域,即城市道路、公共场所、政府机关、国有企业单位等财政或国有资本投资建

  https://www.alighting.cn/resource/20130219/126048.htm2013/2/19 10:30:48

探究矽gan基led技术与前景

目前市场上led用到的材料有蓝宝石、碳化矽sic、矽si、氧化锌 zno、 以及氮化镓gan,中国市场上99%的材料是蓝宝石,而就全球范围来看,蓝宝石的led市场份

  https://www.alighting.cn/2013/2/18 14:09:56

外延生长|磊晶(epitaxial growth)

在合适的基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累结晶层的vpe(气相生长)法、以及与溶液相互接触以生长结晶

  https://www.alighting.cn/resource/20130201/126068.htm2013/2/1 16:14:51

用于微机电系统的类金刚石膜制备及表征

采用等离子体源离子注入和电子回旋共振-微波等离子体辅助化学气相沉积技术相结合的方法在si上制备出子性能良好的类金剐石膜.通过共聚焦raman光谱验证亍薄膜的类金刚石特性,用原

  https://www.alighting.cn/2013/2/1 14:17:59

氧气流量对脉冲激光沉积zno薄膜的形貌及光学性质影响

使用脉冲激光沉积(pld)方法在石英(sio2)和单晶si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的zno薄膜。测试结果显示:在30~70sccm氧气流量范围内,氧气流量50scc

  https://www.alighting.cn/resource/20130128/126105.htm2013/1/28 13:14:42

led|基板(substrate)

料的led芯片,则使用蓝宝石、sic和si等作为基板,如果是红色led等采用alingap类材料的led芯片,则使用 gaas等作为基

  https://www.alighting.cn/resource/20130128/126108.htm2013/1/28 9:55:40

采用mocvd方法在gaas上生长zno(002)和zno(100)薄膜

采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的表面处理条件和生长温度下,在gaas上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10

  https://www.alighting.cn/resource/20130123/126124.htm2013/1/23 14:41:54

不同温度下pld 法制备的氧化锌薄膜的特性

利用gcr170型脉冲激光器nd:yag 的三次谐波(355nm),以蓝宝石al2o3(0001)为,在不同温度下采用脉冲激光沉积法制备了zno 薄膜.通过原子力显微镜

  https://www.alighting.cn/resource/20130123/126125.htm2013/1/23 14:07:10

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