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个周期的量子阱。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子和空穴就会被推向量子阱，在量子阱内电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是led发光的原理。而光的波长也就是光的颜
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262722.html2012/1/29 0:39:56
对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17
于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42
须要面对的技术难题。而要真正开拓出一个全新的半导体照明时代，我们还要从以下几个方面努力攻克技术难题以及进一步规范半导体照明市场。3.１、ｌｅｄ芯片芯片是ｌｅｄ的核心，它的内部量子效
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262635.html2012/1/29 0:34:47
小led温升效应的主要方法，一是设法提高元件的电光转换效率（又称外量子效率），使尽可能多的输入功率转变成光能，另一个重要的途径是设法提高元件的热散失能力，使结温产生的热，通过各种途径散
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262630.html2012/1/29 0:34:32
术和多量子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17
子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261593.html2012/1/8 21:54:51
势消失。所以说，一切都是达不到照明市场要求的led技术惹得祸。 led的发光效率分为内、外量子效率，对于内量子效率基本可达80%甚至90%，而外量子效率由于无法有效放出光子，
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261590.html2012/1/8 21:54:45
对于标准管芯（200-350μm2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mw，其外量子效率为35.5%，蓝光(460 nm) 18.8 mw，其外量子效率
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41
素分子大小匹配性,已可获得高品质双异质结构半 导体或量子井结构的led,便能将不同种类的单晶元素逐层地建构起来。更进一步讨论,电光转换效率也就是内部结构量子化效率(interna
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261580.html2012/1/8 21:53:41
