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提高内量子效率要从led的制造材料、pn结外延生长工艺以及led发光层的出光方式上加以研究才可能提高led的nint，这方面经过科技界的不懈努力，已有显着提高，从早期的百分之几
https://www.alighting.cn/2012/11/16 10:46:27
东京都市大学(原武蔵工业大学)宣布其制作出了采用锗(ge)量子点的硅发光元件，并在室温下确认了基于电流激励的发光现象。由于可在cmos工艺中使用具有兼容性的制造工艺、还有望实现激
https://www.alighting.cn/resource/20100526/128389.htm2010/5/26 0:00:00
薄型可弯曲的 led 背光技术最多可比标准背光技术薄达 88%，而且成本比标准背光技术便宜达 80%律美公司宣佈将向全球推出量子光 (quantumbrite) 可弯曲 le
https://www.alighting.cn/news/20101117/95033.htm2010/11/17 0:00:00
出光兴产与索尼于2008年5月19日宣布，共同开发出蓝色发光oled组件，并已证实内量子效率为28.5％，且发光寿命为3万小时以上。就荧光型发光材料而言，这一发光效率为全球最高水
https://www.alighting.cn/news/20080521/120336.htm2008/5/21 0:00:00
括钙钛矿、量子点等15类前沿材
https://www.alighting.cn/news/20230831/175031.htm2023/8/31 13:38:07
术，如通过在led芯片表面上加工粗糙微结构、led芯片表面双层微结构、二维光子晶体结构、双光栅结构等。介绍了通过各种加工技术对led芯片微纳光学结构的加工提高了芯片的外量子效率，从
https://www.alighting.cn/resource/20140627/124485.htm2014/6/27 10:43:46
在近日东京的「nano tech 2009国际纳米技术综合展」上，关于新一代照明用led的解决方案，东芝展出了正在开发的近紫外led。其外部量子效率较高，达到了36％。发光波长
https://www.alighting.cn/news/20090220/105433.htm2009/2/20 0:00:00
日本大厂出光兴产与sony宣佈共同开发出蓝色发光oled元件，并已证实内量子效率为28.5%，且发光寿命为3万小时以上。
https://www.alighting.cn/news/20080522/105648.htm2008/5/22 0:00:00
应用有限元电磁场分析方法对发光二极管(led)芯片的光学传播进行模拟.对光子晶体结构的外量子效率进行了计算.特别的是,对光源的处理上,使用了点光源球面波来进行分析并且考虑了光
https://www.alighting.cn/2013/5/7 10:55:36
基led外延片(其主要结构包括：n-gan、量子阱和p-gan)。通过这种方式可以实现一次性生长具有不同结构的量子阱
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30
