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利用光谱椭偏仪,系统研究了用脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上,温度分别为400℃,500℃,600℃和700℃制备的zno薄膜的光学特性。利用三层cauchy散
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:44:44
采用无催化脉冲激光沉积(pld)方法,在inp(100)衬底上生长纳米zno柱状结构。采用扫描电子显微镜(sem)、x射线衍射(xrd)以及光致发光(pl)谱等表征手段对zno纳
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08
区ingan的厚度2 nm,但光荧光的强度与100 nm厚ingan的体材料相
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
小功率气体放电光源(40w以下)应该坚持以电子镇流器为主，因为它节能效果明显，一体化程度高;而对于高强度气体放电光源(100w以上)目前还是应该以电感镇流器为主，因为它节能效果
https://www.alighting.cn/resource/2011/10/10/18311_74.htm2011/10/10 18:03:11
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lpmocvd设备,在(100)面偏(110)面9°的ge单晶衬底上外延生长了gainp2材料,研究了生长温度、ⅴ/ⅲ比、生长速率等生长参数
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:55:26
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lp-mocvd设备,在(100)面gasb单晶衬底上外延生长了inassb材料.用x射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39
采用射频反应磁控溅射方法,在si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了cu掺杂zno薄膜。利用x射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127133.htm2011/9/16 14:44:13
简单介绍了目前国内大功率led芯片的现状,对部分产品进行了详细的封装研究,结果显示,国产芯片在光效方面提升迅速,最高已达110 lm/w,主流水平位于90～100 lm/w之
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127157.htm2011/9/13 14:15:45
池，制做了100盏便携灯，并从2011年5月起在东日本大地震灾区的两个地点发放使用。“dssc在日本量产，并在社会中发挥作用此为首次”(东大特聘副教授内田
https://www.alighting.cn/resource/20110910/127165.htm2011/9/10 17:04:45
京基100位于深圳罗湖金融、文化中心区，为旧城改造项目，建成后将成为深圳第一高楼，也是目前世界上最高的建筑之一。东莞勤上光电股份有限公司承接了包括京基100地下停车场、室内商业
https://www.alighting.cn/resource/2011/9/5/154910_61.htm2011/9/5 15:49:10
