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v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。ii、iii族金属有机化合物通常为甲基或乙基化合物,如：ga(ch3)3,in(ch3)3,AL(ch3)3,ga(c2h5)
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,AL,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
前只能通过外延生长技术的变更和器件加工工艺的调整来适应不同衬底上的半导体发光器件的研发和生产。用于氮化镓研究的衬底材料比较多,但是能用于生产的衬底目前只有二种,即蓝宝石AL2o3和碳
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
为二元素发光管。而目前最新的氧程是用混合铝(AL)、钙(ca) 、??(in)和氮(n)四种元素的ALgainn 的四元素材料氧造的四元素led,可以涵盖所有可见光以及部份紫外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229921.html2011/7/17 23:17:00
镓 gan)会因基材(如刚玉 AL2o3)晶格的不整合产生极多的缺陷(如 109/cm2)，这些缺陷限制了内部量子效应(internAL quantum efficiency)的发
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127425.htm2011/7/14 18:06:28
目前超高亮度白/蓝光led的品质取决于氮化镓磊晶(gan)的材料品质，而氮化镓磊晶品质则与所使用的蓝宝石基板表面加工品质息息相关，蓝宝石(单晶AL2o3 )c面与ⅲ-ⅴ和ⅱ-ⅵ
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/1/153840_35.htm2011/7/1 15:38:40
p0403504102rt2000403504105rt200l017d0021660403504116rt260AL017d0024660403504116rt262a017
http://blog.alighting.cn/foxboro/archive/2011/6/22/222681.html2011/6/22 15:15:00
部的十个展馆和AL multaqua馆以及投入使用扎贝尔馆和迪拜国际展览中心的整个临时搭建的室外展馆。仅一个扎贝尔馆面积就占到35000平米，另外组委会专门设立了意大利、德国、希腊
http://blog.alighting.cn/wanxuan008/archive/2011/6/19/221968.html2011/6/19 17:39:00
http://blog.alighting.cn/wanxuan008/archive/2011/6/9/198818.html2011/6/9 18:05:00
http://blog.alighting.cn/wanxuan008/archive/2011/5/22/180090.html2011/5/22 12:55:00
