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针对半导体激光器(ld)脉冲驱动工作的需要，提出了一种新型的基于fpga技术的ld脉冲驱动电源的设计方法。结合fpga技术，利用日立sh系列单片机hd64f7045为控制核心，实
https://www.alighting.cn/resource/20140825/124326.htm2014/8/25 10:58:24
韩国三星sdi开发出了采用氧化物半导体igzo（in-ga-zn-o）材料的tft12.1英寸oled面板，并在“sid 2008”上公布了技术细节（演讲序号：3.1）。该面
https://www.alighting.cn/resource/20080523/128598.htm2008/5/23 0:00:00
以化合物半导体材料为发光元件的半导体固态照明正引发人类照明史上的又一次伟大革命.目前,局限半导体照明广泛应用的主要技术瓶颈有:出光效率(或外量子效率),单管最大可发光通量(或最大
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1063.htm2010/1/18 14:18:53
2010年中国半导体照明品牌路线发展研究报告：第一章产业发展前景——市场庞大的产业盛宴；第二章产业发展趋势——haitz定律下的产业融合；第三章产业市场格局——马太效应背后的诸
https://www.alighting.cn/resource/2011/2/12/112257_38.htm2011/2/12 11:22:57
为了更好地推动国星半导体外延芯片项目的实施，经与国星半导体自然人股东邓锦明先生协商，公司拟以自有资金3,300万元受让邓锦明先生持有的国星半导体的部分股权。
https://www.alighting.cn/2012/8/21 11:39:37
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基片上生长结晶而成。采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等GaN类半导体材料的led芯片，
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128307.htm2010/8/17 17:40:08
随着高功率led的出现，led的使用寿命及电源转换效率成为设计led照明系统时的主要考虑因素，基于飞兆半导体fan100设计出高效率、高稳定性的led照明系统，首先给出了硬件电
https://www.alighting.cn/resource/20130115/126162.htm2013/1/15 14:55:16
由于si基光发射材料具有与先进的si微电子技术兼容和成本低廉的优势 ,一直是光电子集成 (oeic)工程应用的首选材料。但由于体材料si是一种间接带隙半导体 ,不可能成为有效的
https://www.alighting.cn/2011/10/28 14:00:14
此资料，来源三星led中国区唐国庆在贵阳某会议上的报告，分享给大家，希望对大家有所帮助。
https://www.alighting.cn/2015/1/16 13:58:52
