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年外延芯片价格压力仍将持续。 2011年,大陆GaN芯片产能增长达到12000kk/月,但产能利用不足50%,全年产量仅为710亿颗,但国产化率达到70%以上。同时,大陆芯片已经通
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2012/2/6/263674.html2012/2/6 15:40:31
角日亚化学。以GaN作为材料的led,日亚化学仍旧是主要供应商。由于大量的专利保护,GaN技术几乎成为了日亚化学的垄断资产。纵然目前各大巨头都在进行一定的交叉授权,但在日亚化学领
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263601.html2012/2/4 14:56:31
1991年,日亚公司研制成功同质结GaN基蓝光led,峰值波长430nm,光谱半宽55rim,其光输出功率为当时市场上sicled的10倍,外量子效率约为0.18%。 1995
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263597.html2012/2/4 14:50:22
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜,而晶能认为,基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力,并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led,晶能光电
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262785.html2012/1/29 0:45:12
源,持续稳定支持基础研发,突破未来的白光普通照明核心技术,建立长效机制与创新的环境与氛围,在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪GaN(氮化镓)材料与器件的研究,实现重大装备国产
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262783.html2012/1/29 0:45:06
、采用碳化硅基板生长GaN薄膜,优点是在相同操作电流条件下,光衰少、寿命长,不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长,不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05
侧,正面射出的光部分将被接触电极所吸收和键合引线遮挡。造成光吸收更主要的因素是p型GaN层电导率较低,为满足电流扩展的要求,覆盖于外延层表面大部分的半透明niau欧姆接触层的厚度应大
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37
车后部的高位刹车灯,90年代大功率led的工作电流达到50-70ma。 1995年,日本日亚化学工业公司成功开发出蓝光led后,世界上结束了没有原色蓝光的历史,在全球掀起了ga
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262750.html2012/1/29 0:42:52
之材料及其外延技术中,红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主,而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相外延成长法成长磷砷化镓gaasp材料为主。 一般来说,GaN的成长须
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262722.html2012/1/29 0:39:56
6 的?光led等。由于制造采用了?、砷、磷三种元素,所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN(氮化镓)的蓝光 led 、gap 的绿光led和gaas红外光led,被称为二元素发
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262708.html2012/1/29 0:39:07