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gan是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，gan具有高的电离度，在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下，gan晶体一般是六方纤锌矿结构
https://www.alighting.cn/resource/20051216/128915.htm2005/12/16 0:00:00
本文的主要研究内容涉及图形化衬底对gan基LED发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的gan图形衬底。再利用mocvd材料生长设备侧向外延生长了gan
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30
高亮度LED的关键制造技术之一是 mocvd 技术。由于整个竖式LED结构采用mocvd技术生长，这种技术不仅仅决定LED的质量和性能，而且在很大程度上决定LED制造的产量和成本。
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127932.htm2010/7/12 15:03:31
这份是专门针对全球及中国蓝宝石晶棒产业的深度报告，研究中心采用客观公正的方式对蓝宝石晶棒产业的发展走势进行了深度分析阐述，方便客户进行蓝宝石晶棒行业发展规划，投资决策，本项目在运作
https://www.alighting.cn/2012/3/5 17:46:44
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长gan薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长gan薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
采用高分辨x 射线衍射仪(hrxrd)和扫描电子显微镜(sem)对外延生长所得gan 薄膜的晶体质量和表面形貌进行了表征。
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123530.htm2015/3/5 10:13:17
征。结果表明:源分解温度1350℃,衬底温度450～500℃,氩气流量为35sccm时,zno纳米线在玻璃衬底上呈现有序生长;xrd谱图中只观测到zno(002)衍射峰。表明制备的纳
https://www.alighting.cn/resource/20130606/125528.htm2013/6/6 11:15:19
d在设施园艺应用现状和植物LED功能拓
https://www.alighting.cn/resource/2011/6/14/18437_43.htm2011/6/14 18:04:37
在LED整个工艺流程中，外延片的设计和生长、芯片的设计和电极的制、以及大功率LED的封装是技术难度较高的环节。LED产业链需要的生产备种类繁多，集中在衬底制备、外延片和芯片制造以
https://www.alighting.cn/resource/20110521/127573.htm2011/5/21 15:38:17
众所周知，绿光LED的性能水平达不到同等红光和蓝光LED。但可以通过降低电流密度、使用一个更大的芯片以及优化生长条件来减少黑点，能够尽可能缩小在100ma驱动电流条件下，达到19
https://www.alighting.cn/resource/20140117/124895.htm2014/1/17 16:05:30
