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led芯片的制造工艺简介

led芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(wafer fabrication)、晶圆针测工序(wafer probe)、构装工序(packaging)、测试工序(initia

  https://www.alighting.cn/news/2009111/V21472.htm2009/11/1 13:01:53

杰瑞特最特别的晶圆-8寸晶圆

smc台湾原厂高压mos管在电源领域已得到广大客户的认可,可以直接替换ir/st/fairchild/等品牌的mos管,我们的优势在于:1:我们是晶圆生产厂家,不是代理,也不是贸

  http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/11/21/299428.html2012/11/21 14:14:06

用氧化镓制造功率元件 与SiC相比成本低且性能出色(2)

采用β-ga2o3制作基板时,可使用“fz(floating zone)法”及“efg(edge-definedfilm-fed growth)法”等溶液生长法,这也是其特点之一,

  https://www.alighting.cn/2012/4/24 14:17:04

蓝宝石,硅 (si),碳化硅(SiC)led衬底材料的选用比较

对于制作led芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和led器件的要求进行选择。

  https://www.alighting.cn/resource/20100726/128332.htm2010/7/26 9:54:02

先进led晶圆级封裝技术

led前瞻技术与市场研讨会上,香港科技大学led-fpd工程技术研究开发中心主任李世玮教授分享了《先进led晶圓级封裝技术》,众多业界专家和专业听众给予了一致好评。

  https://www.alighting.cn/resource/20111202/126829.htm2011/12/2 11:13:33

led芯片现状:衬底材料和晶圆生长技术是关键

目前国内外有很多led芯片厂家,然芯片分类没有统一的标准,国内外芯片技术对比方面,国外芯片技术新,国内芯片重产量不重技术。

  https://www.alighting.cn/news/20140506/87007.htm2014/5/6 13:56:05

日震冲击:硅晶圆供给及限电将影响dram产出

根据集邦科技(trendforce)旗下研究部门dramexchange的调查,由于日本东北大地震冲击下,福岛一号核电厂停机,甚至引发辐射危机,亦造成日本东北区域大规模停电,3/1

  https://www.alighting.cn/news/20110318/90804.htm2011/3/18 10:33:57

gt推出碳化硅炉新产品线

gt advanced technologies于7月8日推出其新型SiClone(tm) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术,能生产出高品

  https://www.alighting.cn/news/20130709/112135.htm2013/7/9 12:02:46

科锐发布口径为6英寸的SiC底板

据了解,6英寸底板量产后,SiC功率元件的普及将会加速。这是因为生产效率提高,有助于削减制造成本,SiC功率元件的价格有望降低。目前,部分厂商正在投产使用4英寸底板制造的SiC

  https://www.alighting.cn/pingce/20100909/122986.htm2010/9/9 11:50:12

山东大学大直径SiC单晶研究取得突破进展

山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展,成功生长出直径3英寸的SiC单晶;2英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)”的水平。

  https://www.alighting.cn/news/2007516/V5083.htm2007/5/16 16:06:33

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