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led芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(wafer fabrication)、晶圆针测工序(wafer probe)、构装工序(packaging)、测试工序(initia
https://www.alighting.cn/news/2009111/V21472.htm2009/11/1 13:01:53
smc台湾原厂高压mos管在电源领域已得到广大客户的认可，可以直接替换ir/st/fairchild/等品牌的mos管，我们的优势在于：1：我们是晶圆生产厂家，不是代理，也不是贸
http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/11/21/299428.html2012/11/21 14:14:06
采用β-ga2o3制作基板时，可使用“fz(floating zone)法”及“efg(edge-definedfilm-fed growth)法”等溶液生长法，这也是其特点之一，
https://www.alighting.cn/2012/4/24 14:17:04
对于制作led芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和led器件的要求进行选择。
https://www.alighting.cn/resource/20100726/128332.htm2010/7/26 9:54:02
led前瞻技术与市场研讨会上，香港科技大学led-fpd工程技术研究开发中心主任李世玮教授分享了《先进led晶圓级封裝技术》，众多业界专家和专业听众给予了一致好评。
https://www.alighting.cn/resource/20111202/126829.htm2011/12/2 11:13:33
目前国内外有很多led芯片厂家，然芯片分类没有统一的标准，国内外芯片技术对比方面，国外芯片技术新，国内芯片重产量不重技术。
https://www.alighting.cn/news/20140506/87007.htm2014/5/6 13:56:05
根据集邦科技(trendforce)旗下研究部门dramexchange的调查，由于日本东北大地震冲击下，福岛一号核电厂停机，甚至引发辐射危机，亦造成日本东北区域大规模停电，3/1
https://www.alighting.cn/news/20110318/90804.htm2011/3/18 10:33:57
gt advanced technologies于7月8日推出其新型SiClone(tm) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术，能生产出高品
https://www.alighting.cn/news/20130709/112135.htm2013/7/9 12:02:46
据了解，6英寸底板量产后，SiC功率元件的普及将会加速。这是因为生产效率提高，有助于削减制造成本，SiC功率元件的价格有望降低。目前，部分厂商正在投产使用4英寸底板制造的SiC二
https://www.alighting.cn/pingce/20100909/122986.htm2010/9/9 11:50:12
山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展，成功生长出直径3英寸的SiC单晶；2英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)”的水平。
https://www.alighting.cn/news/2007516/V5083.htm2007/5/16 16:06:33
