站内搜索
本文从产品、营销、运营以及发展潜力四个方面对中国led 照明企业进行了竞争力分析。在产品竞争力上，中国led 照明产业产品线布局完善，在关键的光效指标、荧光粉专利以及上游的si
https://www.alighting.cn/2012/2/14 15:11:31
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和SiC，si）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
则使用蓝宝石、SiC和si等作为基
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128307.htm2010/8/17 17:40:08
外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和SiC两种)上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00
laytec于11月前推出最新的产品pyro 400。传统的红外高温测量法只能监测到蓝宝石或SiC晶片下面的基座表面温度,与之不同的是,pyro 400是一种真正能精确测量gan
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230115.html2011/7/18 23:52:00
由于中国起步较晚，而欧美和日本等国在led全产业链的专利布局早在上世纪80年代就已开始，并且在以蓝宝石和SiC衬底上生长gan基led外延、芯片方面的专利布局已基本完成，所以说总
https://www.alighting.cn/news/20121130/n980646374.htm2012/11/30 11:58:42
在led行业中，我国自主创新的硅衬底led技术被誉为继碳化硅(SiC)led技术、蓝宝石衬底led技术之外的第三条技术路线，其打破了日本和欧美led厂商形成的牢固的专利壁垒，拥
https://www.alighting.cn/news/201467/n323862863.htm2014/6/7 11:30:20
近几年人们制造led晶粒/芯片过程中首先在衬底上制作氮化镓（gan）基的晶圆(外延片)，晶圆所需的材料源(碳化硅SiC)和各种高纯的气体如氢气h2或氩气ar等惰性气体作为载体之
https://www.alighting.cn/news/20091014/V21194.htm2009/10/14 21:04:09
从1907年发光二极管的发明到1995年蓝光led的成功开发，半导体照明经历了曲折的过程。其中包括在蓝光led研发过程中，碳化矽（SiC）与氮化镓（gan）“阵营之争”。led经
https://www.alighting.cn/news/20071017/V12853.htm2007/10/17 14:13:49
据ibm的研究人员发现石墨烯材料能大幅降低采用氮化镓(gan)制造的蓝光led成本。跟昂贵的SiC或蓝宝石晶圆片、且只能单次使用以长出gan薄膜的传统方式相比，这种新方法的成本效
https://www.alighting.cn/news/20141202/86567.htm2014/12/2 9:37:18
