SiC沟槽-阿拉丁站内搜索引擎

夫（lossewo。w。）在1923年就发现了半导体SiC中偶然形成的p－n结中的光发射，但利用半导体的p－n结电致发光原理制成的发光二极管只是到了60年代后期才得以迅速发展。近年来，由

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262736.html2012/1/29 0:41:26

样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262704.html2012/1/29 0:38:54

内置电源的另一个最大缺点是寿命低。因为电源必须放在铝管里，所以铝管不可能做成鳍片的形式，而只能是普通的半圆柱型，顶多在表面上加上一些很浅的条形沟槽（图4），图4 中空铝管的

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262628.html2012/1/29 0:34:23

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅（SiC）背面出光法：美国cre

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42

1,cree　　著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(SiC)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262614.html2012/1/29 0:33:37

夫（lossewo。w。）在1923年就发现了半导体SiC中偶然形成的p－n结中的光发射，但利用半导体的p－n结电致发光原理制成的发光二极管只是到了60年代后期才得以迅速发展。近年来，由

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261562.html2012/1/8 21:50:50

样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261531.html2012/1/8 21:48:34

内置电源的另一个最大缺点是寿命低。因为电源必须放在铝管里，所以铝管不可能做成鳍片的形式，而只能是普通的半圆柱型，顶多在表面上加上一些很浅的条形沟槽（图4），图4 中空铝管的

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261457.html2012/1/8 21:36:20

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅（SiC）背面出光法：美国cre

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10

1,cree　　著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(SiC)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261443.html2012/1/8 21:33:08