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美国led芯片龙头cree发佈了口径为6英吋，约150mm的SiC底板，6英吋产品的微管密度不超过10个/cm2，主要用于led、高频元件及功率半导体元件。
https://www.alighting.cn/news/20100909/105545.htm2010/9/9 0:00:00
近日，山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展，成功生长出直径３英寸的SiC单晶；２英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)
https://www.alighting.cn/resource/20070512/128495.htm2007/5/12 0:00:00
天富热电(600509)业务可分为稳定增长、扎根新疆的主营业务和技术含量高、发展空间大的投资业务。
https://www.alighting.cn/news/20120425/113851.htm2012/4/25 10:32:24
此前，氮化镓只能用于(111)-硅上，而目前广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体(cmos)芯片一般在(100)-硅或(110)-硅晶圆上制成。这表明，新晶体管能同由(11
https://www.alighting.cn/news/20111009/100275.htm2011/10/9 10:09:29
渠道为王，技术制胜。在6月9日-12日举行的亚洲led高峰论坛上，晶能光电作为此次cto技术交流大会的嘉宾，将以“硅衬底大功率led芯片产业化及应用”为话题探讨led技术。为让网
https://www.alighting.cn/news/20120511/85518.htm2012/5/11 16:46:27
阳光电源股份有限公司(股票代码：300274)2018年供应商大会于近日在合肥召开。阳光电源与来自全球的供应商代表齐聚一堂，就协同开放、技术创新、质量提升等议题展开探讨，打造更具竞
https://www.alighting.cn/news/20180125/154975.htm2018/1/25 10:17:38
锯成晶圆裸片形式的蓝光plb01005
https://www.alighting.cn/pingce/20131203/121664.htm2013/12/3 12:01:29
SiC功率组件主要应用于切换频率较高以及尺寸较小的电力电子装置中。然而，这样的趋势正为这类芯片的封装带来新的挑战。
https://www.alighting.cn/resource/20140710/124453.htm2014/7/10 11:29:36
体质量。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan,再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层,然后利用光刻和刻蚀技术,形成gan窗口和掩膜层条。在随后的生长过程中,晶圆gan首
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
激光加工是非接触式加工，作为传统机械锯片切割的替代工艺，激光划片切口非常小，聚焦后的激光微细光斑作用的晶圆表面迅速气化材料，在led有源区之间制造非常细小的切口，从而能够在有限面
https://www.alighting.cn/resource/20110819/127293.htm2011/8/19 14:31:30
