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6 的?光led等。由于制造采用了?、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而gan（氮化镓）的蓝光 led 、gap 的绿光led和gaas红外光led,被称为二元素发
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258532.html2011/12/19 10:58:35
特的金属基覆铜板，具有良好的导热性、电气绝缘性能和机械加工性能。设计时也要尽量将pcb靠近铝底座，从而减少灌封胶部分产生的热
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258527.html2011/12/19 10:58:20
led光谱晶片，什么是led晶片? 一、led晶片的作用： led晶片为led的主要原材料，led主要依靠晶片来发光。 二、led晶片的组成 主要有砷(as)铝(al)
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258521.html2011/12/19 10:58:03
国 iii-n technology，3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258504.html2011/12/19 10:56:54
装照明产品。模组封装也是一种多芯片封装，在氧化铝或氮化铝基板上以较小的尺寸、高的封装密度封装几十个或几百个led芯片，内部的联线是混联型式，即有多个芯片的串联、又有好几路的并联。这
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258501.html2011/12/19 10:56:42
构从事氮化镓基蓝绿led的材料生长、器件工艺和相关设备制造的研究和开发工作。其中处于世界领先水平的主要有：日本的nichia；美国的lumileds、gree；德国的osram等。这
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258489.html2011/12/19 10:56:09
如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%，已接近极限。 lgainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33
有两种结构：不剥离硅生长衬底：在导电硅生长衬底上层叠金属反射层或导电dbr反射层，生长氮化鎵基led外延层在金属反射层或导电dbr反射层上。剥离硅生长衬底：层叠金属反射层在氮化鎵
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53
源，持续稳定支持基础研发，突破未来的白光普通照明核心技术，建立长效机制与创新的环境与氛围，在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪gan(氮化镓)材料与器件的研究，实现重大装备国产
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258446.html2011/12/19 10:49:42
现，其中聚焦的主轴之一就是led照明。李明儒表示， 该公司已为磊晶合作伙伴开发出符合其规格所需的led驱动ic产品，不论在散热与输出功率上均有竞争利基，目前也已少量供货，预期可望成
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258435.html2011/12/19 10:47:06
