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报道了一种可靠稳定且低接触电阻的n型gan欧姆接触。首先在掺硅的n型gan(3×1018cm-3)蒸镀ti(30nm)/al(500nm),然后在氮气环境530℃合金化3mi
https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54
示,inp晶体在二氧化硅间隙中的生长是均匀的,具有较好的结晶质量;高介电常数的inp的填充使人工欧泊光子晶体的光子禁带效应增强,反射峰移向长波长区.光学特性检测结果与理论计算值得到较
https://www.alighting.cn/resource/20130509/125625.htm2013/5/9 10:41:41
采用射频磁控溅射方法分别在蓝宝石(al2o3)(0001)和硅(100)衬底上制备zno薄膜.通过x-光衍射测量与分析表明两者都沿c轴方向生长,在al2o3衬底上的zno薄膜结
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126126.htm2013/1/23 13:45:44
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
p chip的电流密度。同时这种结构还可以将pn结的热量直接通过金属凸点导给热导系数高的硅衬底(为145w/mk)，散热效果更优;而且在pn 结与p电极之间增加了一个反光层，又消
https://www.alighting.cn/resource/20110718/127423.htm2011/7/18 15:14:26
有关led的使用寿命，例如改用硅质密封材料与陶瓷封装材料，能使led的使用寿命提高10%，尤其是白光led的发光频谱含有波长低于450nm短波长光线，传统环氧树脂密封材料极易被短
https://www.alighting.cn/resource/20051208/128903.htm2005/12/8 0:00:00
pom是种醛基排静电材料，适合作手柄材料，防止与人接触件的放电问题。它还非常 适合用于硅晶片加工过程中的夹具或者制造灵敏电子元件，包括硬盘驱动和印刷电路板。主要特性：永久性的排静
http://blog.alighting.cn/hjhsjclyxgs/archive/2010/6/21/51542.html2010/6/21 17:44:00
http://blog.alighting.cn/hjhsjclyxgs/archive/2010/6/21/51543.html2010/6/21 17:45:00
阳能光伏电池的发电原理是光生伏特效应，对晶体硅太阳能电池来说，开路电压的典型数值为0.50.6v,通过光照在界面层产生的电子一空穴对越多，形成的电流越大。界面层吸收的光能越多，同
http://blog.alighting.cn/something/archive/2010/9/9/95839.html2010/9/9 16:46:00
要方式之一。 太阳能光伏电池的发电原理是光生伏特效应，对晶体硅太阳能电池来说，开路电压的典型数值为0.5 0.6 v,通过光照在界面层产生的电子一空穴对越多，形成的电流越大。界面
http://blog.alighting.cn/cookie/archive/2010/10/15/107108.html2010/10/15 17:01:00
