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led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233025.html2011/8/19 23:25:00

2048像素led平板显示器件的封装

图1)。3材料选用3.1陶瓷盖led平板显示器厚膜电路衬底片材料采用常规厚膜工艺所使用的96%a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底片能够良好匹配外,还

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233022.html2011/8/19 23:23:00

加拿大,奇纳,医药学院的设计欣赏

建筑师:hariri pontarini 建筑师事务所   地点:加拿大安大略省奇纳   主持建筑师: siamak hariri   造价: 3600万美元   建

  http://blog.alighting.cn/miamia/archive/2011/8/19/233005.html2011/8/19 22:50:00

画在墙壁上的乙烯箔台灯

随着箔制品在当今社会应用越来越多,设计师开发出了更多新材料来适应市场的需要。这款产品应用的是乙烯箔(vinyl foil),在家中空间有限却又对装饰装潢要求苛刻的朋友们可以发

  https://www.alighting.cn/case/2011/8/19/182352_11.htm2011/8/19 18:23:52

瑞士,比尔,军事训练

量,其中包括局部埋于地下的钢筋混凝土地,由穿孔金属包裹的“盒子”交错坐落在地上方,其悬挑出来的部分形成了入 口。   站在一楼大厅可眺望室外的风景,这里一侧连着楼梯,另一

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2011/8/19/232872.html2011/8/19 11:48:00

2048像素led平板显示器件的封装

示器厚膜电路衬底片材料采用常规厚膜工艺所使用的96%a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底片能够良好匹配外,还应尽量考虑降低产品制造成本。为此,我们将厚

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232836.html2011/8/19 1:10:00

led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232833.html2011/8/19 1:07:00

浅谈led產生有色光的方法

d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素,所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN(氮化鎵)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led,被称为二元素发光管。而目

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232817.html2011/8/19 0:28:00

高亮度led发光效益技术

高亮度led虽然具备了更省电、使用寿命更长及反应时间更快等优点,但仍得面对静电释放(esd)损害和热膨胀系数(tce)等效能瓶颈;本文将提出一套采次黏着台(submoun

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232808.html2011/8/19 0:16:00

芯片大小和电极位置对GaNled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

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