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子阱结构,波长625nm 附近其外延片的内量子效率可达到100%,已接近极限。目前mocvd生长ingaalp外延片技术已相当成熟。ingaalp外延生长的基本原理是,在一块加热
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
度led外延材料的重要前提。algainp超高亮度led采用了mocvd的外延生长技术和多量子阱结构,波长625nm 附近其外延片的内量子效率可达到100%,已接近极限。目前mocv
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
示位，1个停止位共11位。数据传输码率为625 kb／s，字节传输速率为56.8 kb／s。每个子模块由256个led构成，实现16阶灰度每个led需要4 b空间，因此每个显示子模
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230488.html2011/7/20 23:15:00
1 红(r) led高亮度发光管 625nm 2 绿(g) led高亮度发光管 525nm 3 蓝(b) led高亮度发光管 470nm二、led的分类1．按发光管发光颜
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233083.html2011/8/19 23:55:00
如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%，已接近极限。 lgainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258520.html2011/12/19 10:58:01
c350系列驱动器的功率因素为0.625-0.75，在21.5x18mm的体积下，能够达到该功率因素是非常不容易的。随着天下明科技研发人员的进一步研究，t220c350系列驱动器的能
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258647.html2011/12/19 11:10:52
http://blog.alighting.cn/119379/archive/2011/12/20/258866.html2011/12/20 15:57:45
处的折射方向,从而使透光效率明显提高。测量 指出,对于视窗层厚度为20μm的器件,出光效率可增长30%。当视窗层厚度减至10μm时,出光效率将有60%的改进。对于585-625n
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
