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人从高压熔体中得到了单晶氮化镓体材料,但尺寸很小,无法使用,目前主要是在蓝宝石、硅、碳化硅衬底上生长。虽然在蓝宝石衬底上可以生产出中低档氮化镓发光二极管产品,但高档产品只能在氮化镓
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石al2o3和碳化硅SiC衬底。表2-4对五种用于氮化镓生长的衬底材料性能的优劣进行了定性比
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料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此外,在应用设计中,pcb线路板等的热设计、导热性能也十分重要。进入21世纪后,led的高效化、超高亮度化、全色化不断发展创新,红、橙led光效已
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体质量。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan,再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层,然后利用光刻和刻蚀技术,形成gan窗口和掩膜层条。在随后的生长过程中,晶圆gan首
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代亮度越来越高的器件。在1990年左右推出的基于碳化硅(SiC)裸片材料的led效率大约是0.04流明/瓦,发出的光强度很少有超过15毫堪(millicandel)的。90年代中
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型器件大电流工作下问题十分突出。碳化硅SiC作为衬底材料应用的广泛程度仅次于蓝宝石,目前还没有第三种衬底用于gan led的商业化生产。SiC衬底有化学稳定性好、导电性能好、导热性
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定之后才会开始进行量测,而稳定时间最少5分钟以上。因为led与一般硅芯片的特性不同,因为无法确保电极面积的广泛程度,加上包括内部串联电阻值,以及电位出现不均匀分布等等,所产生的顺
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能超过容许值,最后业者终于领悟到解决封装的散热问题才是根本方法。有关led的使用寿命,例如改用硅质封装材料与陶瓷封装材料,能使led的使用寿命提高一位数,尤其是白光led的发光频谱含
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用纯净的碳化硅(SiC)材料研制出了第一个“真正的蓝光”led,但是它们的发光效率非常低。下一代器件使用 了氮化镓基料,其发光效率可以达到最初产品的数倍。当前制造蓝光led的晶体外
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管的实用驱动电源见附图,其中：c3电容的主要作用是在刚接通220v市电时防止可能产出的瞬间大电流通过led使其受到损坏,vs1可控硅则是防止负载开路时在c3两端产生高压使其严重发
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