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线译码器74hc154来选择控制，这样一来列选控制只使用了单片机的4个io口，节约了很多io资源，为单片机系统扩充使用功能提供了条件。考虑到p0口必需设置上拉电阻，我们采用4.7k
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133824.html2011/2/19 23:16:00
存，128b ram； ◇高精度pwm hrp； ◇功率因数校正； ◇7通道、8位adc； ◇1个带有中断功能的16位定时器； ◇带有抗噪的低电压抑制技术和确保软件安全的计 算操作；
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133851.html2011/2/19 23:30:00
灯 —270w墙体射灯样品 —2-5w射灯 —3-7w水下射灯 6 发展趋势 单芯片功率将越来越大，但要用于大功率照明还需要集成。 多芯片集成技术将成为Led照
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133864.html2011/2/19 23:34:00
其白炽灯的响应时间为毫秒级，Led灯的响应时间为纳秒级。 6）对环境污染：无有害金属汞。 7）颜色：改变电流可以变色，发光二极管方便地通过化学修饰方法，调整材料的能带结构和带
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134110.html2011/2/20 22:49:00
动器、电压基准、电池检测和温度监控都有多种选择，而适当的外设组合又取决于多种因素。 输出功率的增加势必提高了对Led的驱动要求。为了得到足够的亮度，一个5w的Led要求7v时驱动电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134116.html2011/2/20 22:53:00
震性能好，牢固可靠； 5、节能，经济，免维护； 6、动态的色彩控制，明暗可调，三基色的Led组合可采用pwm实现颜色的变化 7、Led有很强的发光方向性，光通量利用率高，且体
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134122.html2011/2/20 22:57:00
属作阴极的 oLed器件的eL响应更快[3]。目前，在oLed器件中获得应用的单层金属阴极有mg（3.7 ev），Li （2.9 ev），ca（2.9 ev），sr（2.4 e
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134138.html2011/2/20 23:04:00
层。并且采用表面粗化处理的器件和传统器件采用相同的生长方法和步骤制备。经过表面粗化后， p-gan 表面均方根粗糙度由 2.7nm 增加到了 13.2nm 。结果显示，采用表面粗
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134153.html2011/2/20 23:08:00
与pda中广泛使用的Led以及电池的电气特性。 依不同制造商所采用技术的差异，Led的正向电压(vf)大约在2.7~4v之间，通常高功率Led拥有高达4.9v的较高正向电压，因
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134165.html2011/2/20 23:14:00
目，改造后的公路为城市三级道路，断面形式为7.0米宽路面+2×1.5米宽人行道。 本次招标内容是对以上道路范围内道路两侧高杆照明灯以及两侧边坡景观灯的采购制作与施工安装以及缺陷责任
http://blog.alighting.cn/cmjlaya/archive/2011/2/21/134360.html2011/2/21 13:13:00
