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lEd寿命试验法

现全色系lEd产业化的同时,开发了lEd芯片寿命试验的条件、方法、手段和装置等,以提高寿命试验的科学性和结果的准确性。 2、寿命试验条件的确定 电子产品在规定的工作及环境条件下,进

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261361.html2012/1/8 20:21:43

lEd寿命试验法

现全色系lEd产业化的同时,开发了lEd芯片寿命试验的条件、方法、手段和装置等,以提高寿命试验的科学性和结果的准确性。 2、寿命试验条件的确定 电子产品在规定的工作及环境条件下,进

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261360.html2012/1/8 20:21:41

高品质lEd产品指标性能

样的发光效率下正向电压越低越好。  2、光通量分档:光通量值是lEd用户很关心的一个指标,lEd应用客户必须要知道自己所使用的lEd光通量在哪个范围,这样才能保证自己产品亮度的均匀

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261359.html2012/1/8 20:21:40

设法减少热阻抗、改善散热问题

述结构的lEd芯片到焊接点的热阻抗可以降低9k/w,大约是传统lEd的1/6左右,封装后的lEd施加2w的电力时,lEd芯片的接合温度比焊接点高18k,即使印刷电路板温度上升到50

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261358.html2012/1/8 20:21:39

图解照度、光通量、光强之间的关系

为1cd(堪德拉)的光源在1sr(立体弧度)的立体角内放射的光通量为1lm。此处的sr为立体角的单位,表示从球面向球心截取的面积为半径(r)的2次方(r2)的圆锥体的顶角。  光通

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261357.html2012/1/8 20:20:50

lEd设计中的要点介绍

一、半导体照明应用中存在的问题1、散热2、缺乏标准,产品良莠不齐3、存在价格与设计品质问题,最终消费者选择lEd照明,缺乏信心4、半导体照明在电气设计方面与传统照明有很大差别,传

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261356.html2012/1/8 20:20:45

lEd设计中的要点介绍(二)

24v/1w、36v/1w、48v/1w、 12v/3w、24v/2w……36v/10w 等等。 以后,客户使用cyt技术的产品设计,不再需要考虑任何关于lEd恒流问题,使用现

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261355.html2012/1/8 20:20:43

技术交流:lEd照明设计过程中关键问题全析

4v/2w……36v/10w等等。以后,客户使用cyt技术的产品设计,不再需要考虑任何关于lEd恒流问题,使用现有的标准恒压电源供电即可。此技术将宣告“lEd恒流电源”一说终结!

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261353.html2012/1/8 20:20:40

智能照明平台解决方案

本文主要介绍了世强电讯基于瑞萨(rEnEsas)电子为照明应用贴身打造的的高性能78k0/ix2系列mcu开发的智能照明平台解决方案,该方案在硬件、软件方面满足中高端照明产品智能

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261350.html2012/1/8 20:20:32

采用恒流电源给lEd供电

会达到1.2v。这是相当可观的数字。反过来也可以利用lEd的这种特性来测量其结温,lEd射灯例如有一个10串3并的lEd组合,在接上恒流电源以后,测得其正向压降从32.3v降低到3

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